Re: [問題] IR2110對IRF460驅動的Loading effect問題

看板Electronics作者 (一切都講fu)時間18年前 (2008/01/04 14:51), 編輯推噓0(000)
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※ 引述《charleshu (Analog Engineer)》之銘言: : ※ 引述《solame (一切都講fu)》之銘言: : : 我所量的波形是MOS的VGS,黃色是LO,粉紅色是HO : : 有人做過相關的電路嗎?這部分應該是屬於電力電子的converter... : : 謝謝! : 1.請問你為什麼想改善波形的上升時間呢? : 除非你在CCM動作,上升時間可能會嚴重影響效率.若非如此,無論是DCM或 : 在ZVS或ZCS模式下,VGS的上升時間並不是非常重要的問題. : 早年(10幾年前),BJT時代,Tr 與 Tf 只要在轉換週期的5%以下,就算是可以 : 接受的. : 就算是現在,Tr與Tf也只要滿足效率上的需求與滿足SOA即可,甚至還常常需 : 要限制Tr與Tf. : 2.你有試著減小那兩個22 ohm電阻嗎? : 就如我前文所寫的,只要減小它們,Tr就會有大幅的改善,若將它們改為 : 0 ohm,理論上 Tr 就會約略等同於 Tf,也就是說Vgs的上升曲線就會約略 : 等同於現在的下降曲線. : 你試過了嗎? : 不過我想最重要的還是問題1. 先想清楚戰略,再來考慮戰術問題. 先想清楚為什麼 : 再來考慮如何做... 1.這顆MOS的型號是IRFP460 2.我有試著將電阻值調小,結果有稍稍的改善,但是也出現了damping現象 謝謝你們的建議,我在調整看看! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.116.164.89
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