討論串[問題] IR2110對IRF460驅動的Loading effect問題
共 8 篇文章
首頁
上一頁
1
2
下一頁
尾頁

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者solame (一切都講fu)時間18年前 (2008/01/04 14:51), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
1.這顆MOS的型號是IRFP460. 2.我有試著將電阻值調小,結果有稍稍的改善,但是也出現了damping現象. 謝謝你們的建議,我在調整看看!. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.116.164.89.

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者charleshu (Analog Engineer)時間18年前 (2007/12/30 13:59), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
1.請問你為什麼想改善波形的上升時間呢?. 除非你在CCM動作,上升時間可能會嚴重影響效率.若非如此,無論是DCM或. 在ZVS或ZCS模式下,VGS的上升時間並不是非常重要的問題.. 早年(10幾年前),BJT時代,Tr 與 Tf 只要在轉換週期的5%以下,就算是可以. 接受的.. 就算是現在,T
(還有147個字)

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者charleshu (Analog Engineer)時間18年前 (2007/12/30 13:45), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
從圖上看來,該電路上並無看到L,且由原文看來,原作者應沒有刻意要將其電路. 做成ZVS switching.. 示波器的Single end probe有GND皆相通的,也有每一CH GND各為獨立的,. 但它並不像differential probe一般可以消除 common mode noise

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者juc (EveryHeart)時間18年前 (2007/12/30 00:32), 編輯資訊
0
3
0
內容預覽:
波型失真有個解決辦法. 在MOSFET的gate端接一個電阻電容並聯的架構. ---------R----------to gate of MOSFET. |---C-----|. RC的選擇取決於gate端的等效電容, 主要是要tune C (to shape the waveform). 電解電
(還有72個字)

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者YCU (= =)時間18年前 (2007/12/29 18:15), 編輯資訊
0
3
0
內容預覽:
您好:. 可否提供一下您所使用的MOSFET型號... 或許是您MOS的Cgs很大, 而Driver能力不夠而導致驅動波形畸變... 或者您可以換顆MOS試試看... --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.116.178.138.
首頁
上一頁
1
2
下一頁
尾頁