Re: [問題] 關於電壓突波

看板Electronics作者yourhusband (悶)時間16年前 (2007/11/16 18:46)推噓5(5推 0噓 3→)

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※ 引述《a93620037 (阿海)》之銘言： : 為什麼緩振電路中的電壓突波會很大(VDS量測到200V)(輸入電壓60V,MOSFET使用IRF640, : 漏電感1nH)請問是IRF640內的寄生電容造成的還是漏電感造成的. 我只能說都有甚至Layout的線電感跟電容都會有影響但是確定的是漏感一定是越小越好 V=Ldi/dt可以想像 : 再請問一下 : 緩振電路的RCD要怎麼匹配...常聽別人說要一直TRY 事實上真的是如此底下有理論的公式而實際上因為MOS有寄生電容版子也有雜散電容線感繞製的變壓器也會有漏電感所以實際上需要Try and error : 但請問要如何判斷電容是要加大或者減小呢? C = (Ip/2)*tf --------- VDS R = Ton(min) -------- 3C P(R) = 0.5C*(VDS)^2 -------------- T Ip為開關關閉時候的峰值電流　tf為電流下降時間　通常是幾十到幾百個ns VDS為開關上跨壓 Ton(min)為DUTY最小值*週期，也就是開關開啟最短時間 P(R)為電阻需要選用的瓦數公式原理很簡單 C*dv/dt=i P=0.5C*V^2 3RC=Ton<-經驗值如果RCD snubber加上去SPIKE消除不掉增加電容值減少電阻值但要小心這樣做電阻要耐的瓦數必須增高 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.118.16.133 ※ 編輯: yourhusband 來自: 210.203.54.46 (11/16 19:25)

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a93620037

11/16 23:28, , 1^F

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mardliu

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yourhusband

11/17 09:07, , 3^F

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