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討論串[問題] 關於電壓突波
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Re: [問題] 關於電壓突波
推噓5(5推 0噓 3→)留言8則，0人參與, 最新作者yourhusband (悶)時間18年前 (2007/11/16 18:46), 編輯資訊
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我只能說 都有 甚至Layout的線電感跟電容都會有影響. 但是確定的是 漏感一定是越小越好 V=Ldi/dt可以想像事實上真的是如此 底下有理論的公式而實際上因為MOS有寄生電容 版子也有雜散電容線感. 繞製的變壓器也會有漏電感. 所以實際上需要Try and error. C = (Ip/2)*
(還有248個字)
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[問題] 關於電壓突波
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者a93620037 (阿海)時間18年前 (2007/11/16 13:47), 編輯資訊
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為什麼緩振電路中的電壓突波會很大(VDS量測到200V)(輸入電壓60V,MOSFET使用IRF640,漏電感1nH)請問是IRF640內的寄生電容造成的還是漏電感造成的.. 再請問一下. 緩振電路的RCD要怎麼匹配...常聽別人說要一直TRY. 但請問要如何判斷電容是要加大或者減小呢?. --.
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