[問題] 電晶體MOS燒壞

看板Electronics作者 (只有努力)時間16年前 (2007/10/02 11:15), 編輯推噓0(0推 0噓 3→)
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請問各位 如果說電晶體(MOS)因為瞬間電流過大 導致電晶體燒壞 1.請問是哪裏燒壞? 端點 製程裡面layer..... 2.還有還有哪些原因導致燒壞 謝謝大家 -- -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.116.187.206
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最容易燒壞的地方是 metal 1 繞線以及 via/contact
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10/03 08:50, , 2F
如果是MOS燒壞, 有可能是Vgs過高(oxide breakdown)
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10/03 08:51, , 3F
或Vds過高 (Avalanche breakdown)
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文章代碼(AID): #170RVKhp (Electronics)
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