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討論串[問題] 電晶體MOS燒壞
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#3
Re: [問題] 電晶體MOS燒壞
推噓6(6推 0噓 0→)留言6則，0人參與, 最新作者WeCanGo (Full_Bridge)時間18年前 (2007/10/14 01:35), 編輯資訊
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是Power Mos?嗎？. 因為我們實驗室常常用Power Mos 我只知道Power Mos壞掉的判別方法. 1.Driveｒ打壞，這時候Vgs會短路 但是Vds可能沒有. 打壞的可能有Vgs超過額定電壓(雜訊)，或是Mos為壓控元件他只需要一點點的電流. 去向G腳驅動，如果你前端的限流電阻太小
(還有143個字)
#2
Re: [問題] 電晶體MOS燒壞
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者hsun (飛向你不知的那片天)時間18年前 (2007/10/03 00:19), 編輯資訊
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這問題用TEM切最準. 任何位置 都有可能. --. 世上有一些人縱然蟄隱於世，無論在幹什麼事情、什麼職業. 總會突圍而出，叫人眼前一亮！. 併發出無可掩藏的光芒！. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 203.203.130.120.
#1
[問題] 電晶體MOS燒壞
推噓0(0推 0噓 3→)留言3則，0人參與, 最新作者tutowuu (只有努力)時間18年前 (2007/10/02 11:15), 編輯資訊
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請問各位. 如果說電晶體(MOS)因為瞬間電流過大. 導致電晶體燒壞. 1.請問是哪裏燒壞? 端點 製程裡面layer...... 2.還有還有哪些原因導致燒壞. 謝謝大家. --. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.116.187.206.
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