Re: [問題] layout的N-well & P-well相關問題
※ 引述《niceguy (niceguy)》之銘言：
: 大家好!!!
: 小弟有些關於layout時P-well與N-well的問題想跟大家請教一下
: 雖然之前有問過了 但還是希望能讓自己觀念的清楚一些!!
: ====================================================
: LATI. 2 {@ N-well PICK-UP to PMOS max space < 20um
: PASD NOT NPKUP
: }
: LATI. 3 {@ P-well PICK-UP to NMOS max space < 20um
: NASD NOT PPKUP
: }
: ====================================================
: 第一個的意思是是要在N-well內要將Vdd打至OD(Diffusion)並用"NIMP"包起來
: 且要跟PIMP包起來的PMOS距離小於20um 是這個意思嗎？
根據強者我學長那天教我的大意是
一個NMOS的body要接地(TSMC35製程預設的sub應該是p-type)
而那個接地點跟離NMOS的距離不能超過20um
"接地點"就如同你所說的,由於基板是p-type要連到metal線,進而由metal接到PAD
基板與metal的交點,為了歐姆接觸所以需要較重的參雜,因此在P-sub上
依然要畫DIFF然後圍PIMP表示這是P的重參雜打上cont就可以接到metal了
反之在N-well裡的PMOS也是同樣的意思,需要N重參雜(NIMP&DIFF)
來做一個跟metal的交點
: 第二個的意思是只要在P-well內要將Gnd打至OD(Diffusion)並用"PIMP"包起來
: 且鰾跟NIMP包起來的NMOS距離小於20um 是這個意思嗎？
: 另外 還有個問題... N-well我清楚它的範圍 但是P-well是指???
^^^^^^
除非是twin-well製程,不然這裡的P-well應該是指預設的P基板
: 還有NIMP跟PIMP到底是指什麼啊@@?
根據以前強者我同學的敘述
應該是指這一個DIFF是n-type或者是p-type
: 我只知PMOS跟Gnd要用PIMP NMOS跟Vdd要用NIMP 然而為什麼要這樣用呢?
: 應該有物理意義吧?
應該是為了歐姆接觸(ohm contact)
http://tw.knowledge.yahoo.com/question/?qid=1306022007469
: 不好意思 因為我是自學 所以上來請教各位前輩
: 希望為小弟解惑 謝謝!!!
我也是正在學習中的菜鳥,以後可以多討論 XD
另外台北大學黃弘一老師開的Mixed-single Layout的短期課程有機會可以去聽聽看
聽說他是Layout魔人.....
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