Re: [問題]準分子雷射
※ 引述《Rigid (陽光下的奇蹟)》之銘言：
: ※ 引述《flyskydou (remi)》之銘言：
: : 準分子雷射 對於CMOS的淺層接面的製程與原理
: : laser anneal(CMOS shallow junction)
: : 請解釋詳細 因為老師很機車XD
: 某些Excimer laser之頻段能輕易地被silicon吸收
: 又excimer laser的發射時間十分短(nano second)
: 所以可以僅對CMOS的shallow jusction做加熱動作
: （僅對表面很薄的一層加高溫）
: 使得implant進去的dopant可以重新建結在silicon的crystal lattice上
: 而不會因為長時間的高溫造成dopant的diffuse
: 是以可以形成shallow junction
還有可不可以麻煩再說明它的在高溫退火時，有關的晶格排列的細節
例:晶格大小、再結晶、grain等等
謝謝
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