討論串[問題]準分子雷射
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推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者shun5134 (呼你順順順)時間19年前 (2006/12/07 23:55), 編輯資訊
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還有可不可以麻煩再說明它的在高溫退火時,有關的晶格排列的細節. 例:晶格大小、再結晶、grain等等. 謝謝. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 61.220.183.211.

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者Rigid (陽光下的奇蹟)時間19年前 (2006/12/07 23:00), 編輯資訊
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某些Excimer laser之頻段能輕易地被silicon吸收. 又excimer laser的發射時間十分短(nano second). 所以可以僅對CMOS的shallow jusction做加熱動作. (僅對表面很薄的一層加高溫). 使得implant進去的dopant可以重新建結在sili

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者flyskydou (remi)時間19年前 (2006/12/07 12:42), 編輯資訊
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準分子雷射 對於CMOS的淺層接面的製程與原理. laser anneal(CMOS shallow junction). 請解釋詳細 因為老師很機車XD. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 163.25.118.67.
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