Re: [問題] 請問TSMC 0.18um製程的問題
※ 引述《ihlin.bbs@ptt.cc ()》之銘言：
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> ※ 引述《elf326 (小小)》之銘言：
> : 想請問TSMC 0.18um製程,它裡面所謂的RF model跟一般的model,它們之間的不同只是
> : 因為RF model在高頻有比較高精準度的萃取參數(與一般相比的話)而已,還是他們之間有不
> : 同的架構,因為我看ADS RF model裡面的NMOS他有註明是triple well PMOS是twin well..
> .18um的我有點忘了，不過.13um裡面，baseband model就只是BSIM的model,
> RF model 則是將parasitic element和BSIM model包在一起變成一個transistor model,
Well 並不是一個RLC的結構，PNPN也不是一個transistor！
> RF model 還會把BSIM model裡的部份參數disable掉，然後再用TSMC的公式加回去。
> 我記得.18也是類似的做法
怪不得不會動，真是怪怪！
> : 還有RF moedl的MOS可以跟一般的MOS作在一起嗎?只是要在LAYOUT上畫法不同(例如:
> : triple well 之類的)..........謝謝各位前輩!!
> 是
原本的BSIM就不會動，disable掉變成大補貼！
對應的LAYOUT沒有disable的功能，只好劃線做做
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