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討論串[問題] 請問TSMC 0.18um製程的問題
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#3
Re: [問題] 請問TSMC 0.18um製程的問題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者permittivit.時間19年前 (2006/06/21 10:32), 編輯資訊
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※ 引述《ihlin.bbs@ptt.cc ()》之銘言：. > 轉信站: KimoWebBBS!netnews.kimo.com.tw!news.csie.ncu!news.mgt.ncu!news.ncu!ctu-> Origin: sally.csie.ntu.edu.tw. > ※ 引述《e
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#2
Re: [問題] 請問TSMC 0.18um製程的問題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者wildwolf.時間19年前 (2006/06/21 09:01), 編輯資訊
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【 在 ihlin.bbs@ptt.cc () 的大作中提到: 】. 那種 RF model，基本上是查表法的 model. 也就是晶圓廠下線做看看...跟 BSIM model 的差異再用一些 parasitic RLC 修正. 回來。所以要說比較精準也對啦。但是前提是你畫的 MOS 要與晶圓廠下
#1
[問題] 請問TSMC 0.18um製程的問題
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者elf326 (小小)時間19年前 (2006/06/20 17:48), 編輯資訊
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想請問TSMC 0.18um製程,它裡面所謂的RF model跟一般的model,它們之間的不同只是因為RF model在高頻有比較高精準度的萃取參數(與一般相比的話)而已,還是他們之間有不同的架構,因為我看ADS RF model裡面的NMOS他有註明是triple well PMOS是twin
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