Re: [問題] 請教 medici 如何模擬電子trap在SONOSꨠ…
==> 在 turco.bbs@ptt.cc (轉吧SILVACO) 的文章中提到:
> ※ 引述《Floatcross (小天使落跑了!!??)》之銘言：
> : 各位前輩好
> : 我已經用tsuprem4 畫好SONOS結構了
> : 現在想要模擬電子trap在nitride的特定位置特定電子量
> : 無奈試了很久都失敗了
> : 請教哪位前輩有模擬過類似的結構經驗呢?
> : 我說明我的作法
> : 我已經撰寫好medici id-vg 程式了
> : 所以我在其中加入一段trap語法
> : 讓原本沒TRAP的nitride trap住電荷
> : 語法如下
> : TRAP Q.FIX=1E18 COND="(@REGION=NITRIDE)&(@X>0.3)&(@X<0.5)"
> : 無奈不管如何排列組合，新增其他參數
> : vth均沒有改變
> : 請問誰願意提供我意見呢?
> : 感謝感謝
> 這個應該是要設interface defect吧
> 你有把FN tunneling 的model打開嗎
ssuprem4 和 ise tcad比
有那些差
外面有討論 ssuprem書 但好像沒使用 tcad跑的書
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* Origin: ★ 交通大學資訊科學系 BBS ★ <bbs.cis.nctu.edu.tw: 140.113.23.3>
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04/29 21:14, , 1F
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04/30 15:45, , 2F
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討論串 (同標題文章)
以下文章回應了本文：
完整討論串 (本文為第 3 之 4 篇)：