Re: [問題] 請教 medici 如何模擬電子trap在SONOSꨠ…
※ 引述《Floatcross (小天使落跑了!!??)》之銘言：
: 各位前輩好
: 我已經用tsuprem4 畫好SONOS結構了
: 現在想要模擬電子trap在nitride的特定位置特定電子量
: 無奈試了很久都失敗了
: 請教哪位前輩有模擬過類似的結構經驗呢?
: 我說明我的作法
: 我已經撰寫好medici id-vg 程式了
: 所以我在其中加入一段trap語法
: 讓原本沒TRAP的nitride trap住電荷
: 語法如下
: TRAP Q.FIX=1E18 COND="(@REGION=NITRIDE)&(@X>0.3)&(@X<0.5)"
: 無奈不管如何排列組合，新增其他參數
: vth均沒有改變
: 請問誰願意提供我意見呢?
: 感謝感謝
這個應該是要設interface defect吧
你有把FN tunneling 的model打開嗎
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◆ From: 140.112.19.67
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