Re: [閒聊] 不可質疑你的___A7II評測(推文中有經驗分享)

看板DSLR作者 (天降六月雪)時間9年前 (2015/07/15 16:02), 9年前編輯推噓56(57142)
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吉姆林轉述的說法沒錯;這同時也是A7RII採用高成本的背照式(BSI)感光元件的原因之一。為了讓更多板友一起參與,我們用比較簡化的方式來討論BSI在A7RII上的影響。 和DSLR有各部獨立元件分工合作不同;MILC在感光元件端的負荷很重。同一塊感光元件要實時測光、實時取景、持續擷取全畫面資料、持續成像至EVF或LCD、計算對比對焦的反差……同時,A7RII內嵌了399相位對焦點,這意味著約347萬像素還要被用來減光計算相位差。 片幅越大、像素越多,這些資料量會越多,因此不意外A7系列的對焦速度、連拍速度等表現不算頂尖;甚至在靜音模式、連拍模式等要求速度的情況下,相機還會自動從14bit降為12bit輸出。 因此MILC要追趕DSLR,提升資料傳輸能力是必須面對的課題。 這些和BSI有什麼關係? 首先我們看一下FSI和BSI兩者簡略的差異: 前照式:光子→微透鏡→CFA(色彩過濾陣列)→布線層→【像素層】(光電二極體) 背照式:光子→微透鏡→CFA→【像素層】→布線層 BSI之所以能提升高感能力,並非開源(加強感光元件本身的感光能力),而是節流:藉由將布線層和像素層倒置,減少光子被中間線路給遮蔽或干擾而浪費掉的數量。 這個優點在小片幅比較明顯;例如:Sony的RX100一代,QE(光子轉換成電子的效率)只有54%,但二代改採BSI後,QE立即躍升至72%,能有更多光子被感知。 而因為內連線的寬度是固定的、不隨片幅變大而增加,因此片幅越大、布線層佔比越小,BSI提升的效益就越小。 但同時,BSI的成本會隨著片幅增加而等比級數成長。之前曾看過一篇文:BSI從1吋導入APS-C時,將良率等一切因素列入考量後,製造成本增加約12倍;相信全幅的成本應更驚人。 是故,Sony在A7RII上採用高成本、「相對」低效益的全幅BSI,有兩個遠超乎高感能力的重要理由: (一)增加像素: 同片幅下,通常像素越多、高感能力越差;但BSI的採用能在相同片幅維持一定高感水準的前提下增加像素。例如:Samsung的NX1,像素間距比Nikon的D7200小8%、像素密度高16%,但高ISO的訊噪比依然能達到D7200的水準。 而A7RII在開發之初即確認要以增加像素為重點,原本預設的是4.6千萬或5千萬;最後雖為了配合Super 35mm格式的超採樣比例而讓像素降為4.2千萬,但仍比A7R高了許多。在至少以維持A7R高感表現的前提下,BSI的導入勢在必行。 (二)提升傳輸速度: 要提升感光元件端的資料傳輸速度,就是增加管線;但在FSI中增加布線層,勢必會造成更多光子被浪費。導入BSI後,布線層轉移到像素層之下,不再阻礙光子進入光電二極體,因此可以一定程度增加管線。 同時,Sony還仿效Samsung在NX1的作法,捨棄鋁線,改採傳導效率快40%的銅線,大幅提升了資料傳輸能力,而且更低的電阻能減少雜訊產生。其效益體現在非常廣泛的層面,例如:低果凍效應的高速快門、對焦速度、可直接機身直出4K……等。 這也可以解答原PO「為何畫素變高反而可以用靜音快門」。對照以往A7家族只有低像素(資料量較少)的A7S具全電子快門,這次A7RII的像素大幅提升(資料量更多),仍能使用全電子快門,可見官方宣稱的增速40%確實有實效。不過A7RII是否像A7S在靜音模式時會降級12bit輸出,值得關注。 另外值得一提的是,更少的布線層訊號干擾、更大的感光元件開口率,可以減少RF廣角鏡大角度入射光所造成的紅閘問題。 因此,總結來說,A7RII採用BSI,高感能力應不會有傳言中驚人的表現;事實上Sony官方也在訪談中確認了這點,並表示A7RII的高感約和A7R相同或稍佳(但不要忽略A7RII的像素高於A7R)。BSI在全幅上真正的影響力,應為:(一)維持一定畫質的前提下增加像素;(二)提升資料傳輸能力,全面改善MILC迄今的許多限制。 當然,BSI並非毫無缺點。除了成本之外,Sony在2008年即表示:BSI會增加色彩混雜、像素死點的問題。Aptina的報告中也指出:BSI會導致更多的暗電流,以及藍光波長的光子轉換效益減弱。從Samsung NX1看來,這些問題在現今似乎已獲得解決,因此應不致太過擔心。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.32.71.150 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/DSLR/M.1436947333.A.786.html ※ 編輯: splendidpoem (114.32.71.150), 07/15/2015 16:04:50

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光的感應力還是取覺得像素井的體積,BSI就算把井從土裡
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挖到地面上來,井的容量一樣的話就還是一樣
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但是開口從地下跑到地上最大的受惠還是邊角的光能比較正
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正確的被感知道
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另外,相較於FSI,BSI的像素層理應有更多空間用來放置像
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看到對高iso沒有太大幫助,就完全對a7r2滅火了
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素井,但是SONY卻沒有這麼做,這樣的話雜訊干擾可能會更
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A7R再戰10年
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進一步降低,再加上全銅佈線,以及佈線層空間變大,更會
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進一步降低雜訊吧
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全銅耐候能力會不會比全鋁差呀?
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銅製程的外面還會做隔離層以防氧化,銅製程在半導體用很多
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年了,可靠度是可以控制的
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外星科技
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所以高感還是要等A7s II,希望可以增進AF速度
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了解~感謝~
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神帖留名
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iso搭配縮圖視覺上應該也會有升級感吧
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我記得銅製程的導入應該速度不是主要,而是鋁的電阻較大
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所引發的熱度,才是麻煩所在
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三星為了解決Power跟熱的問題,直接從180nm跳過90nm
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直接導入65nm + 銅製程.所以NX1才會有如此驚人的表現
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看PTT長知識了
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Good. 有耐心寫這個的人不多了
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朝聖
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專業好文 長知識了
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用心好文,朝聖
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07/15 17:33, , 29F
讚 簡單明瞭
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這種神帖才是我真正佩服的高手,實在是感謝您!
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可以順便解釋一下 Canon 的感光元件出了什麼問題嗎?
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07/15 17:51, , 32F
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07/15 17:54, , 33F
長知識,後悔當初沒讀理工組
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07/15 18:01, , 35F
DPreview 上的 FSI/BSI 對照圖: http://goo.gl/KoerLk
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推,解釋得很清楚。
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話說FSI比較像人的視網膜結構...
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專業給推!
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原來如此!
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還有 21 則推文
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鋁的電阻哪裡會大www 我實驗室都可以把鋁做的跟銅一樣低
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然後實驗室的成果有porting到產線上並被大量生產驗證過
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可靠度嗎?
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銀: 我準備好了,什麼時候換我上場?
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其實有在產線TRY了啦
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銀完全不用考慮 銅+氮氣 還沒銀來的貴
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那有人會告訴你他在實驗室可以把銅做到跟銀一樣低
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把銅做到跟銀一樣低 這會得諾貝爾獎耶
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把銅作的跟鋁一樣低 XDrz
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那就等Qualified後吧...沒Qua過的製程風險都是未知數
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專業推
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S粉長知識推!
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推!
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銅製程在很多方面都比鋁製程優,所以半導體才會導入+轉換
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淺顯易懂 推推
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搞不好過幾年,電子產品裡裡外外都換成石墨烯了
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07/15 21:54, , 77F
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我想看鋁的電阻和銅一樣低的文章在哪
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IC製程中會用鋁的原因在於他的導電能力算不差,然後可以
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讓吳淑珍站起來
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被酸蝕刻掉.再進入奈米製程導線微縮後的電阻越來越高
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07/15 22:18, , 82F
採用銅製程是一個基於現有生產技術上,最快最經濟的方案
07/15 22:18, 82F

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只是三星來勢真的非常兇,目前Sony主流的APSC都是180nm
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三星直接採用65nm進入,有點類似之前三星搞記憶卡的玩法
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07/16 00:16, , 85F
感謝,上了一課。
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07/16 00:31, , 86F
清晰易懂,優質好文,感謝您:)
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07/16 00:43, , 87F
推好文,也謝謝s大與l大的專業解說
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07/16 01:10, , 88F
專業文推
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07/16 06:52, , 89F
推專業
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07/16 08:03, , 90F
好文!!
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07/16 09:14, , 91F
專業好文!
07/16 09:14, 91F

07/16 09:25, , 92F
你不要這麼專業好不好
07/16 09:25, 92F

07/16 10:05, , 93F
專業好文
07/16 10:05, 93F

07/16 10:44, , 94F
雖然完全看不懂但還是感謝專業文
07/16 10:44, 94F

07/16 13:05, , 95F
看完後覺得A7Rii更神啦
07/16 13:05, 95F

07/17 18:47, , 96F
好文推
07/17 18:47, 96F

07/28 09:18, , 97F
MILC與DSLR唯一的差異是鏡頭後焦,剩下就是產品定位與賣價。
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07/28 09:20, , 98F
BSI與FSI跟readout速度無關。Canon也有FSI, 120M @9.5fps
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07/28 09:23, , 99F
Sony砸大錢買下瑞薩300mmFab 生產水果用的BSI sensor, 當然
07/28 09:23, 99F

07/28 09:23, , 100F
要leverage工廠產能
07/28 09:23, 100F
文章代碼(AID): #1LfXE5U6 (DSLR)
文章代碼(AID): #1LfXE5U6 (DSLR)