Re: [問題] 請問計算 Band gap 使用UV 與 PL 的差異!?
※ 引述《Harki (Brin)》之銘言：
: 請問各位
: PL (photoluminescence 光激發光)
: 可以藉其分析材料的能隙
: 而一般看別人都是使用 UV-vis 測後得其波長
: 再使用 E = 1240/λ
: 想請問 這兩者的差異!?
: 為何儀器介紹上都說 可以檢測材料的能隙!?
: 謝謝!!!
就之前做固態材料的"經驗"
曾利用兩種量測"半導體"能隙的方法
1. UV-vis
量測固態粉末全反射光譜(必備積分球)經由換算可得，非一般UV方法獲得
(1-R)^2/2R...好像吧~有點忘了~
缺點：能隙太小看不到(<1eV)，要改用IR全反射...
不同paper有不同外插方式，我到畢業還是沒弄清楚哪種才正確...
另一派人馬會把粉末均勻分散於液體，再測吸收光譜...(有讀過但不熟)
2. Temp v.s conductivity
量測溫度(ln 1/T)與導電度之關係，畫出的曲線套入固定公式(年代久遠有點忘了)
可以求得Ea(活化能)
至於算的準不準則見仁見智，說準跟說不準的兩方人馬都有自己的一套說詞~
固態理論計算能隙，有些軟體是預設0度K溫度下計算，能隙應該會比實際值大些
這部分也是看圖說故事，如果量測出的能隙跟理論不符，又是想一套說詞解釋...
解釋合理的話，別人也不會太刁難，畢竟軟體計算的基礎各不相同
PL沒使用過...
分享一下以前實驗心得~
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