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討論串[問題] 請問計算 Band gap 使用UV 與 PL 的差異!?
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#2
Re: [問題] 請問計算 Band gap 使用UV 與 PL 的差異!?
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者dramaC (new life)時間14年前 (2011/07/03 22:03), 編輯資訊
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就之前做固態材料的"經驗". 曾利用兩種量測"半導體"能隙的方法. 1. UV-vis. 量測固態粉末全反射光譜(必備積分球)經由換算可得，非一般UV方法獲得. (1-R)^2/2R...好像吧~有點忘了~. 缺點：能隙太小看不到(<1eV)，要改用IR全反射.... 不同paper有不同外插方式，
(還有206個字)
#1
[問題] 請問計算 Band gap 使用UV 與 PL 的差異!?
推噓3(3推 0噓 0→)留言3則，0人參與, 最新作者Harki (Brin)時間14年前 (2011/06/29 14:46), 編輯資訊
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請問各位. PL (photoluminescence 光激發光). 可以藉其分析材料的能隙. 而一般看別人都是使用 UV-vis 測後得其波長. 再使用 E = 1240/λ. 想請問 這兩者的差異!?. 為何儀器介紹上都說 可以檢測材料的能隙!?. 謝謝!!!. --. ※ 發信站: 批踢踢實業
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