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作者 yingda1004 在 PTT 全部看板的留言(推文), 共116則

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[心得] Change（電子＆光電所）

[ graduate ]27 留言, 推噓總分: +21

作者: COPPOLA - 發表於 2010/03/29 23:25(14年前)

12^F推yingda1004:推學長~~03/30 00:49

[問題] Layout RC Delay

[ Electronics ]6 留言, 推噓總分: +5

作者: wxyz666 - 發表於 2010/01/08 19:48(14年前)

1^F推yingda1004:gate有noise問題01/08 20:38

[請益] comparator 性能測試

[ Electronics ]14 留言, 推噓總分: +5

作者: smart1901 - 發表於 2009/12/22 01:16(14年前)

5^F推yingda1004:90nm 有mismatch model你可以用12/22 14:35

[問題] fet & bjt

[ Electronics ]12 留言, 推噓總分: +6

作者: LLight - 發表於 2009/12/15 10:00(14年前)

5^F推yingda1004:借問cpt大~最高階的cmos是指那個??可以這麼強??12/15 17:58

10^F推yingda1004:感謝幾位前輩分享~12/16 09:30

[問題] IC設計的問題

[ Electronics ]59 留言, 推噓總分: +16

作者: nckutaurus - 發表於 2009/12/04 22:13(14年前)

22^F推yingda1004:推POW大~12/05 11:33

[問題] 關於hspise下　output swing range測定

[ Electronics ]6 留言, 推噓總分: +2

作者: CaOH2 - 發表於 2009/11/29 14:31(14年前)

3^F推yingda1004:之前也有遇到這個問題!忘了在那看到有個方法我覺的不錯12/01 22:16

4^F→yingda1004:就是先用1找出大概臨界值再灌一個SIN慢慢加大12/01 22:18

5^F→yingda1004:看OUTPUT的SPECTRUM什麼時後TONE跑掉就表示輸出失真了12/01 22:19

6^F推yingda1004:看你要接成幾倍都可..視你的ICMR而定12/01 23:28

Re: [問題] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了！感謝！

[ Electronics ]20 留言, 推噓總分: +5

作者: deathcustom - 發表於 2009/09/21 18:12(14年前)

1^F推yingda1004:再次感謝D大!!可是我根本沒畫DUMMY呀?再請問一下D大09/21 19:10

2^F→yingda1004:像加DUMMY.在子電路是不是也可以先不要理它?最後到CHIP09/21 19:11

3^F→yingda1004:層在補就好了??感恩!!09/21 19:12

4^F→yingda1004:還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的w等09/21 19:13

5^F→yingda1004:變小.跟不用finger.w很大.有什麼差?如果不考慮noise.09/21 19:15

6^F→yingda1004:也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?09/21 19:15

9^F→yingda1004:為什麼W variation會變大??不是平均也會平均變異嗎??09/22 08:27

10^F→yingda1004:謝謝C大09/22 08:27

15^F推yingda1004:感謝C大的解說!!09/22 12:59

16^F推yingda1004:頻寬真的爆了...要怎麼補救= =09/23 22:28

[問題] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了！感謝！

[ Electronics ]2 留言, 推噓總分: +1

作者: yingda1004 - 發表於 2009/09/21 13:22(14年前)

2^F→yingda1004:感謝A大!!09/22 08:26

Re: [問題] 請問MOS的SIZE

[ Electronics ]20 留言, 推噓總分: +7

作者: deathcustom - 發表於 2009/09/12 14:37(14年前)

6^F推yingda1004:請問在不同的製程如何辨別Vod要多少才是strong invers?09/12 12:07

7^F→yingda1004:和Vod大於多少才會飽和??是要自己再去跑單顆的特性圖嗎09/12 12:08

8^F→yingda1004:還是製程文件中會有?可以請問一下嗎??感謝!09/12 12:09

9^F→yingda1004:再請問一下.若非在Strong或速度已經飽和會有什麼影響?09/12 12:10

10^F推yingda1004:恩!感謝D大!所以Vod要多少才算進入strong呢?09/12 15:27

11^F→yingda1004:多少速度會飽合?學校是有教公式.但那是以前的製程.09/12 15:29

12^F→yingda1004:但當拿到一個不同的製程又該如何得知呢?我沒有在文件檔09/12 15:29

13^F→yingda1004:中發現!先感謝解答!09/12 15:30

17^F推yingda1004:請問要怎麼知道飽合了?感謝!09/12 16:14

19^F推yingda1004:恩..感謝D大...所以換製程就要重跑單顆= =09/12 16:45

Re: [問題] 請問MOS的SIZE

[ Electronics ]9 留言, 推噓總分: +3

作者: Lary - 發表於 2009/09/11 17:26(14年前)

6^F推yingda1004:請問在不同的製程如何辨別Vod要多少才是strong invers?09/12 12:07

7^F→yingda1004:和Vod大於多少才會飽和??是要自己再去跑單顆的特性圖嗎09/12 12:08

8^F→yingda1004:還是製程文件中會有?可以請問一下嗎??感謝!09/12 12:09

9^F→yingda1004:再請問一下.若非在Strong或速度已經飽和會有什麼影響?09/12 12:10

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