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作者 woko 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共138則
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7F→: 感謝s大跟c大的提示,我知道怎麼量了,謝謝!!08/04 08:59
6F→: 感謝l大的說明!07/07 01:00
7F→: 不過我是比較好奇07/07 01:00
8F→: 為什麼全速和低速應用的pull-up電阻07/07 01:01
9F→: 不跟高速應用的時候一樣斷開07/07 01:01
10F→: 這樣TX端也不用再去fit07/07 01:02
11F→: 而且D+/D-兩端的訊號會更對稱07/07 01:02
12F→: 不知道這樣的想法對不對呢?07/07 01:03
7F→: 原來還有這麼多學問在裡面!!感謝兩位大大,我先研讀一下~12/18 17:16
5F推: 一樣是14片DVD+3本講義,內容我覺得應該都相同,我是2013年買03/27 11:55
6F→: 過一次,後來被通知改版,就填了一些資料回傳,書商就再寄送一03/27 11:55
7F→: 次DVD給我,我只挑重點章節看,內容是一樣滴~~加油!!!03/27 11:56
8F→: 至於有什麼不同,好像只有影片格式和影片加密防盜版的不同~03/27 11:58
10F推: 大大感謝!!!^^12/19 10:29
14F推: 太讚啦!08/12 09:33
5F→: 的確是這樣耶!感謝c/o/m三位的回答.^^03/28 13:56
1F推: 可能是不同length的GIDL特性差異造成的吧(亂猜的,參考就好)02/02 16:25
10F→: 手殘了!是0.6um,打錯了~感謝各位的指導..^^01/11 09:44
15F→: NMOS高電壓一端為D/低電壓一端為S12/21 16:32
16F→: PMOS高電壓一端為S/低電壓一端為D12/21 16:33
17F→: 電流方向都是從高壓指向低壓12/21 16:34
18F→: 也就是MOS符號的箭頭方向12/21 16:34
19F→: 結構上S/D通常為對稱設計12/21 16:36
20F→: 如何定義則取決於電壓高低12/21 16:37