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作者 WhisperGuy 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共64則
限定看板:Electronics
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[問題] 請問全橋諧振轉換器
[ Electronics ]41 留言, 推噓總分: +8
作者: skyhumor - 發表於 2020/10/29 13:51(5年前)
3FWhisperGuy: 建議觀察激磁感跟諧振電感的分壓,應該就可以釐清您10/30 03:20
4FWhisperGuy: 看到的現象10/30 03:20
5FWhisperGuy: 不過如同一樓P大所言,可能給的資訊越詳細,像是諧振10/30 03:33
6FWhisperGuy: 槽參數或是諧振電流波形等,大家容易幫忙判斷10/30 03:33
[請益] PFC環型鐵芯 Aw計算
[ Electronics ]17 留言, 推噓總分: +4
作者: q817262004 - 發表於 2020/10/21 02:20(5年前)
1FWhisperGuy: Kw是繞線窗口面積因數,有些書籍會寫Ku,這個因數在10/21 12:59
2FWhisperGuy: 利用AP法設計磁性元件的時候常使用的參數,這個參數10/21 12:59
3FWhisperGuy: 代表設計者預期要使用多少鐵心繞線窗口面積,例如你10/21 12:59
4FWhisperGuy: 預計採用40%的窗口面積進行繞線,Kw就會定義成0.4,10/21 12:59
5FWhisperGuy: 通常Kw的設計都是要經驗得到的,因為磁性元件要考慮10/21 12:59
6FWhisperGuy: 的並不是只有繞線的電流密度,還要考慮絕緣、安全規10/21 12:59
7FWhisperGuy: 範,所以在Kw的設計上會以保守一些的形式去設計,確10/21 12:59
8FWhisperGuy: 保最終選擇的鐵心,繞線不會繞不上去10/21 12:59
11FWhisperGuy: 你可以講Kw移項到算式的左側,就會變成Aw乘以你預計10/21 13:26
12FWhisperGuy: 使用的窗口面積比例等於你要繞線的股數*截面積,這樣10/21 13:26
13FWhisperGuy: 去理解這個算式可能會清楚一點10/21 13:26
14FWhisperGuy: 上面打錯,不是講,是將10/21 13:27
17FWhisperGuy: 謝謝UCSD電力電子小天才的讚美XD10/24 02:22
[問題] 關於choke設計及計算Bmax的問題
[ Electronics ]7 留言, 推噓總分: +2
作者: yiting428 - 發表於 2020/09/20 22:01(5年前)
7FWhisperGuy: 一樓正解09/23 21:13
[請益] Adapter輸出電壓tolerance請教
[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: +1
作者: allen3596 - 發表於 2020/06/17 19:32(5年前)
1FWhisperGuy: 選1,2的話比較像是unregulated voltage才會有的現象06/17 20:52
[請益] 電路模擬軟體推薦
[ Electronics ]4 留言, 推噓總分: 0
作者: yoche2000 - 發表於 2020/04/21 02:20(5年前)
1FWhisperGuy: SIMPLIS or PSIM04/21 04:55
[問題] 電路學 RLC帶通一問已刪文
[ Electronics ]2 留言, 推噓總分: +2
作者: Neverfor - 發表於 2019/06/01 23:48(6年前)
1FWhisperGuy: 兩個是相等的06/02 16:35
[問題] 有關開關型電源MOS的問題請教
[ Electronics ]18 留言, 推噓總分: +5
作者: just206 - 發表於 2018/06/10 23:56(7年前)
10FWhisperGuy: Rds_on06/11 07:49
Re: [請益]如何製造足夠強大的交替磁場
[ Electronics ]27 留言, 推噓總分: +6
作者: jamtu - 發表於 2018/02/14 05:35(7年前)
20FWhisperGuy: j大您好,我想問一下如果您說N是密度,根據磁動勢的定02/17 11:13
21FWhisperGuy: 義可以得到磁場強度為H=NI/L,此處的N為圈數,I為電流02/17 11:13
22FWhisperGuy: ,L為路徑長,又因為B=uoH,但是此處的N應該是指圈數02/17 11:13
23FWhisperGuy: 不是指密度,因為小弟在做電力電子,又剛好在做磁性02/17 11:13
24FWhisperGuy: 元件方面設計,因此提出來與您討論!謝謝02/17 11:13
[問題] MOSFET開關晶體隔離?
[ Electronics ]17 留言, 推噓總分: +6
作者: qxxrbull - 發表於 2017/11/18 21:42(8年前)
1FWhisperGuy: 應該這樣說,你要先了解隔離驅動的意義,我舉buck的MO11/18 22:21
2FWhisperGuy: SFET來說,該開關踩的地是floating,並不是像開關的di11/18 22:21
3FWhisperGuy: ode踩在大電的地上,所以因此需要給一個隔離的地讓開11/18 22:21
4FWhisperGuy: 關踩,才不會造成開關勿動作11/18 22:21
5FWhisperGuy: 另外不管是全橋或是半橋,上臂開關一定會用隔離驅動11/18 22:23
6FWhisperGuy: 的方式進行,理由跟buck轉換器一樣,另外隔離驅動很常11/18 22:23
7FWhisperGuy: 用靴帶電路或是脈衝變壓器去實施,我們在做電路很常11/18 22:23
8FWhisperGuy: 使用上述的方式11/18 22:23
9FWhisperGuy: 不知道有沒有回答到您的問題,以上給您參考,謝謝11/18 22:24
[問題] 想請問有關充電與放電
[ Electronics ]25 留言, 推噓總分: +7
作者: a00779928 - 發表於 2017/11/11 15:44(8年前)
6FWhisperGuy: 我以半橋的LLC電路進行說明,當你上橋開關off後,輸入11/11 16:48
7FWhisperGuy: 電流就會對你上橋的寄生電容充電,充電至輸入電壓後,11/11 16:48
8FWhisperGuy: 該MOSFET才算完全截止,不再有電流流過。當你要zvs的11/11 16:48
9FWhisperGuy: 時候,會在deadtime利用激磁電流將MOSFET的寄生電容11/11 16:48
10FWhisperGuy: 的能量放電,此時MOSFET的跨壓就會開始下降,當降到零11/11 16:48
11FWhisperGuy: 以後bodydiode就會導通,deadtime結束後,開關turn on11/11 16:48
12FWhisperGuy: ,因為此時寄生電容的能量已經被放完,因此導通後就沒11/11 16:48
13FWhisperGuy: 有切換損耗,以上用實際例子跟您說明,謝謝11/11 16:48
15FWhisperGuy: 因為我指的架構是半橋LLC諧振式電路,他是利用變壓器11/11 20:02
16FWhisperGuy: 的激磁感電流進行zvs,所以並沒有額外增加電路而是利11/11 20:02
17FWhisperGuy: 用該電路的特性進行zvs.至於bodydiode導通的條件不一11/11 20:02
18FWhisperGuy: 定要電容放到完,而是在mosfet截止的情況下,bodydiod11/11 20:02
19FWhisperGuy: e的跨壓大於導通電壓就會導通,此外我們也常在變壓器11/11 20:02
20FWhisperGuy: 二次側的同步整流電路中,利用mosfet的bodydiode測試11/11 20:02
21FWhisperGuy: 電路動作是否正常,才會用dsp打訊號給同步整流開關,11/11 20:02
22FWhisperGuy: 以上給您參考,謝謝11/11 20:02
25FWhisperGuy: 不會,加油!!11/13 00:40
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