作者查詢 / tim9911564
作者 tim9911564 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共18則
限定看板:Electronics
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43F推: Diode通—》負回授—〉虛短路,diode止—>比較器。不11/30 00:48
44F→: 過其實虛短路只是比較器延伸特性。11/30 00:48
5F推: rms?03/09 14:32
5F推: 把一端接地比較好解釋03/09 14:35
5F推: 電流每條支點設清楚03/19 07:16
3F推: 知道effective maa和Nc Nv可以求ni03/09 14:39
2F推: 左右各做一次戴維寧,電位相等,所以沒有電流03/19 07:18
7F推: 你把B接地就懂了03/19 07:22
10F推: 那電阻應該是base的寄生電阻?03/19 07:26
3F推: for long L, impact ionization(II) 發生在drain端,03/19 07:42
4F→: 電洞跑到sub讓body電位上升, Vt上升,更難Saturation,03/19 07:42
5F→: 不利II, 所以IB下降。for short L, 電動易跑道source03/19 07:42
6F→: sink掉, body電位不易升03/19 07:42
7F推: vg大>linear region>>不會II(這樣才對)03/19 15:11
11F推: 1.電流方向由偏壓決定,電子流S到D,電流相反12/19 10:45
12F→: 2.On state大部分走通道,diode會看到built in potent12/19 10:45
13F→: ial,而通道的potential被gate control而barrier heigh12/19 10:45
14F→: t下降。12/19 10:45
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