作者查詢 / takikichen
作者 takikichen 在 PTT 全部看板的留言(推文), 共87則
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6F推: S大感謝您熱心整理！今天母親節，祝福全天下的媽媽母05/14 18:21
7F→: 親節快樂！關於1.）眼睛睜得大真的沒有第一作者；2.）05/14 18:21
8F→: pubpeer又反駁作者們的問題，其實作者群提出兩篇paper05/14 18:21
9F→: ，若是在相同的電壓下量，作者群還是勇奪世界第一寶座05/14 18:21
10F→: ；3.）應該所有的單位都送出！怕是「官官相護」！05/14 18:21
11F→: 講錯1.）沒有列出通訊作者，猜測應該是chen05/14 18:23
16F推: 這單位所發表相關paper，總是令人驚嘆！最近又出現一05/20 01:00
17F→: 篇為之一亮的論文：http://goo.gl/PlvjC805/20 01:00
7F推: C大果然是內行人！光被質疑第一點作者應該很難答覆！04/07 07:40
8F→: 第一觀點從材料bandgap來探討，並考慮作者所提到介面04/07 07:40
9F→: 缺陷密度很低，再從元件電性看出電流是走SI材料！簡04/07 07:40
10F→: 直是幫我們上一個課！無懈可擊！之後作者群又轉投到ED04/07 07:40
11F→: 國際期刊上，再被質疑FIB都是同一個試片，且用三種虛04/07 07:40
12F→: 線來掩飾FIB原始圖，再把FIB與蝕刻做到那麼完美，簡04/07 07:41
13F→: 直是神作！交大博士班能拿此篇paper當作畢業論文也算04/07 07:41
14F→: 是台灣之光！世界紀錄博士論文與研究機構！04/07 07:41
15F推: 忘記講ED期刊已修正世界紀錄！但JEDS回顧論文與IEDM04/07 07:51
16F→: 論文依然是紀錄保持人與突破物理極限！建議作者群可以04/07 07:51
17F→: 投nature與science兩大期刊，為台灣爭光04/07 07:51
19F推: C大我相信你是懂元件物理！只要從Ge與Si元件物理特性04/07 11:03
20F→: （常溫下之擴散與漏電機制）去觀察！ED期刊能做到7個o04/07 11:03
21F→: rder已經非常非常了不起（真的很難達到）！T公司應該04/07 11:03
22F→: 採用此元件製成技術！04/07 11:03
179F推: jj大說TMD那篇論文！確實令人質疑製程條件，且MOs2電04/08 13:34
180F→: 性可以達到400uA/um以上這數據也是頂尖紀錄，綜觀相04/08 13:34
181F→: 關國際期刊也很難達到此紀錄！但MOs2這元件特性就有04/08 13:34
182F→: 待專家來解釋！這次半導體論文一直讓人質疑，科技部與04/08 13:34
183F→: 大學難道都沒有後續動作嗎？為何pubpeer提出質疑不寫04/08 13:34
184F→: 信到期刊與ieee會議論文，請做作者群提出相關證據！04/08 13:34
185F→: 怕這事又無疾而終！台灣半導體以後很難讓人折服！04/08 13:34
202F推: 就像J大講的，胡正明確實是指標性人物，許多實驗室仿04/10 14:47
203F→: 造他的做法去做，發出去的paper電流都超低，很難有像04/10 14:47
204F→: 胡正明那篇製程那麼厲害！另外做Ge FET(台、清、交、04/10 14:47
205F→: 成與中央）他們所發表的論文也都在理論值內（Ion/Ioff04/10 14:47
206F→: ~6-7order)，沒有像這兩篇神作般的數據！再看Ge FET04/10 14:47
207F→: 論文中，其Ion~不到70uA/um，這在Ge FET中非常低，一04/10 14:47
208F→: 個Ion/Ioff>8個order; Ion<70uA/um,這數據一看就知道04/10 14:47
209F→: 不是Ge電流！其他的照片不用我多說，客官們把圖片放大04/10 14:47
210F→: 就知道，基本上都同一張圖！04/10 14:47
231F推: 真的是94狂！且回覆三點根本就是轉移焦點！（1）n-typ04/15 13:11
232F→: e元件又與他的解釋相衝；p-n type finfet也不適用此04/15 13:11
233F→: 解釋，完全沒有解釋8個order與TED又修正此數據！（2）04/15 13:11
234F→: fib圖片怎麼看都一樣，光背景的顆粒一看就完全一樣，p04/15 13:11
235F→: t厚度只要圖片去擷取就不一樣！總歸一句話只能說作者04/15 13:11
236F→: 都是大師級人物！佩服04/15 13:11
295F推: 同意I大的解釋！目前只要有IEDM paper當年度不只可以04/19 00:46
296F→: 拿到計畫，甚至可以拿道優秀青年補助三年百萬型大計畫04/19 00:46
297F→: ，可是在當年度微電子學門風光的很！且一年六篇，在利04/19 00:46
298F→: 益與權利加持下，數據上都猶如在地上畫圈圈一般既可；04/19 00:46
299F→: 另外如同S大講的，就像是生醫一樣，只要掛上大師,iedm04/19 00:46
300F→: committee與ieee fellow的大師級人物，基本上paper04/19 00:46
301F→: 都會被接受！再加上超乎尋常指標與製程！一定100%上IE04/19 00:46
302F→: DM paper！真的該請教那些大師如何上IEDM!因為我也想04/19 00:46
303F→: 上！ XD04/19 00:46
325F→: 因為有些是［官阿］！能裝死就裝死！若沒有輿論壓力，04/20 01:15
326F→: 能掩蓋事實就盡量掩蓋！時間久了，大家就會淡忘了！然04/20 01:15
327F→: 後那些大師繼續用另外一種包裝方式持續再申請科技部計04/20 01:15
328F→: 畫與拿學位！04/20 01:15
344F推: 馬上回來補推！我親眼看過許多實驗室的教授，叫學生04/21 00:27
345F→: 把raw data數據叫出來然後修改數據！唯有第三公正人士04/21 00:27
346F→: 仿造他們的每道製程就知道可否做出來？應該是很多國04/21 00:27
347F→: 際學者一直做不出此結果，才會一直被質疑！我看全民買04/21 00:27
348F→: 單的機會蠻大的！［有官］在這裡面！怕跟［國防布］一04/21 00:27
349F→: 樣！啥事都沒有！04/21 00:27
412F推: https://goo.gl/SnAMBy 看來這篇又要被打臉唷！悲劇！04/23 21:17
413F→: 這篇就無法叫學生扛！04/23 21:21
416F推: 貢獻成為偉大的魔術師....XD04/24 15:35
437F推: 接近於9次方世界第一與突破物理極限的重大研究成果，04/27 00:32
438F→: 此論點在pubpeer新的質疑中再提出來討論！剛好間接的04/27 00:32
439F→: 回應鄉民的討論！希望作者群能把此製程與結果能技轉04/27 00:32
440F→: 給台灣半導體公司，幫助GG的3奈米先進製程技術推進！04/27 00:32
441F→: 這樣就無需去美國設廠！造福台灣！04/27 00:32
451F推: 這兩單位都隸屬於科技部底下的中心！有可能離職來保04/30 20:51
452F→: 全此事件；或者一切都沒事讓時間沖淡一切？04/30 20:51
501F→: 真的！沒有投稿到科學期刊真的很可惜！05/04 00:31
502F推: 根據作者群提出NW process 這個方法就可以超過物理極05/04 00:45
503F→: 限？減少off current 這個確實可以提升這個比例！但是05/04 00:45
504F→: 從能帶觀點來看是不合乎物理依據了！而且電性圖突然pe05/04 00:45
505F→: ak往下衝？至少大1-2個多order 會不會是量測時間接造05/04 00:45
506F→: 成或是有缺陷都很難說！另外剛剛C大的連結，看那三張F05/04 00:45
507F→: IB圖，看似都同一張圖，這高超的技術，簡直是神乎其05/04 00:45
508F→: 技，更驗證S大所提出的切片問題的存在！05/04 00:45
535F推: S大您真是太熱心了！我相信許多專業鄉民都很願意幫您r05/05 00:36
536F→: eviewer！製程方法可以讓物質的特性變化這麼大這個很05/05 00:36
537F→: 讓人執意且刀功神準！或許教科書該出新版ㄧ刷？05/05 00:36
556F推: 老實說近幾年來這單位所發表的IEDM與VLSI的數據都太漂05/06 23:02
557F→: 亮！趨近於完美！05/06 23:02
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