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作者 shunci 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共6則

限定看板：Electronics

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[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: +1

作者: chungfei - 發表於 2015/02/11 15:18(11年前)

1^F推shunci: Vi<Vtn, Vo=Vdd,當你逐漸把Vi調大,Vo會從Vdd往下掉02/12 01:40

2^F→shunci: 所以NMOS一開始是在飽和區02/12 01:40

3^F→shunci: 另外一種看法,Vi逐漸調大到>Vtn後,NMOS導通能力較弱,而02/12 01:42

4^F→shunci: PMOS導通能力較強(因Vsg較大),所以因上下電流必須相同關係02/12 01:43

5^F→shunci: Vo會被控制在接近Vdd的位置使PMOS進入三極管區02/12 01:44

[ Electronics ]1 留言, 推噓總分: +1

作者: MONSTER9968 - 發表於 2015/02/10 21:49(11年前)

1^F推shunci: 解答錯吧?你的式子第三行跟第四行對不起來,第四行正解02/12 01:54

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