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作者 romjava 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共7則

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[ Electronics ]10 留言, 推噓總分: 0

作者: highcal24 - 發表於 2016/10/06 11:45(7年前)

1^F→romjava: Channel length effect 指的是source drain 與Gate 底下10/06 20:48

2^F→romjava: 通道效應，此是MOS在操作時Source drain 的空乏區與通道10/06 20:50

3^F→romjava: 電荷產生的空乏或反轉層來影響電晶體的起始電壓threshold10/06 20:52

4^F→romjava: Voltage 有關，width 方向是指Gate底下通道到Field oxide10/06 20:54

5^F→romjava: 間的鳥嘴會分散通道的電荷，因電荷被分散使的起始電壓改10/06 20:56

6^F→romjava: 變,稱為10/06 20:56

7^F→romjava: narrow width effect10/06 20:56

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