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作者 IZO 在 PTT [ Physics ] 看板的留言(推文), 共4則

限定看板：Physics

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[ Physics ]6 留言, 推噓總分: +2

作者: CYAward - 發表於 2013/05/20 21:37(12年前)

2^F推IZO:減少應力,因為sputtering ITO layer時,電漿製程會產生stress05/22 00:20

3^F推IZO:reduce the bending stress and protect the device05/22 00:23

[ Physics ]1 留言, 推噓總分: +1

作者: h888512 - 發表於 2011/05/09 18:14(14年前)

1^F推IZO:要考慮鍵能,還有原子半徑05/14 15:42

[ Physics ]3 留言, 推噓總分: +2

作者: ayeae - 發表於 2011/03/03 21:35(15年前)

3^F推IZO:0.5nm~10nm03/04 00:48

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