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作者 Libbymo 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共10則

限定看板：Electronics

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[ Electronics ]25 留言, 推噓總分: 0

作者: hipya - 發表於 2019/03/19 22:53(5年前)

8^F→Libbymo: 我的想法拉..試想當你的Vg下降的時候 Power transistor03/20 01:21

9^F→Libbymo: 需要時間反應沒辦法瞬間提供那麼大的電流（所以傳統上需03/20 01:21

10^F→Libbymo: 要外部電容幫忙）此時Vov上升讓Vds降03/20 01:21

11^F→Libbymo: 且電流增大也會使外部負載跨壓上升03/20 01:21

12^F→Libbymo: （初學有誤請樓下更正..）03/20 01:21

13^F→Libbymo: 此外通常LDO在未抽載時的mos約Vsg=|Vt| 通常在抽載過程03/20 01:29

14^F→Libbymo: 都會跑到triode 若一開始就讓這個mos全開等於你的Vg小於V03/20 01:29

15^F→Libbymo: dd很多這樣Vg能跑的範圍理所當然會變小03/20 01:29

[ Electronics ]4 留言, 推噓總分: +2

作者: semmy214 - 發表於 2019/03/05 15:40(5年前)

1^F→Libbymo: 電容平均電流為0 所以IL=Io03/05 23:12

2^F→Libbymo: 是想問這個嗎03/05 23:12

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