[討論] Apple Face ID & CPU 發展討論
這陣子看到大家在抱怨動態島及A系列晶片,認真思考了一下日後是否有再提高螢幕佔比及C
PU發展的可行性,以下是我想到的,有其他不同想法的大家可以交流交流
Face ID
原理是投影紅外光到物體上就跟雷射筆照射一樣,路徑中不能有東西擋住,而OLED螢幕底部
會有一些結構在(不管是基板、電擊等),所以即使是變成動態島,螢幕的Face ID區域還?
整塊挖空給模組使用
即使是到了Micro LED在底部也還是需要有結構存在,所以應該可以說是蘋果如果要繼續使?
FaceID的話那一塊勢必躲不掉,最多是縮小尺寸,除非今天有突破性的技術可以大幅縮小?
寸,而且點陣投影的範圍功率就在那邊,要縮到多小應該也很困難,前置鏡頭不用說目前各
家大小都差不多那樣,但因為他們沒有使用Face ID所以只需要一顆鏡頭孔,才能做到這麼?
的螢幕佔比
CPU
之前每年都號稱變快多少多少,但探究背後的原因,多半是製程微縮的關係,14>10>7>5(A1
5)>4(A16)nm,可以看到前面每個世代都是2-3nm在跳,但到了這次就只有1nm的進步,更不?
說之後的3>2>1.xA製程,進步幅度越來越小,M系列會這麼猛是因為他直接加大了晶片面積?
M1>pro>max>ultra,但手機的空間就限制在那邊,基本上只能靠製程進步來變強,但現在先
進製程快到了瓶頸,所以之後的A系列除理器進步幅度大概會越來越小,蘋果明年的介紹大?
還是會秀出3nm製程但不知道能效會拿哪個東西來比較了
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nm下去是A,物理上來說極限了,一顆原子就1A,不過以前也喊過物理極限完又在往下縮就?
了 XD
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可能有誤解,我意思是每次都會跟上一代比,但前幾代的進步都是2-3nm的進步,進到5nm後
*0.7也是3.5(4nm),再*0.7就到3nm,每次縮小的幅度跟前代比起來已經沒有那麼大了,這
時就會出現跟這次發表會一樣的情況,不會特別強調跟上代差多少而是拿前2-3代來比較了
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噓
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這個我當然知道,本身就相關人員,主要想表達的是隨著極限逼近,進步放緩,要像以前那
樣有感進步就有難度了
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應該說我想表達的是隨著製程進步放緩,就沒辦法像以前發表會一樣都說比前代進步多少,
已經開始拿前兩代的來比較了,現階段除非把尺寸放大才有機會,但要在手機狹小的空間裡
再放大就要看之後他們怎麼玩了,放大後電池續航力那些又是另外的問題
型號 節點 電晶體數量 晶片大小
A11 N10 43E 88mm2
A12 N7 69E 83mm2
A13 N7G2 85E 98mm2
A14 N5 118E 88mm2
A15 N5G2 150E 107mm2
A16 N4 160E
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從11升到14,散熱真的有感,以前都覺得熱熱的,現在最多就覺得溫溫而已
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