[問題]功率放大電晶體小訊號與大訊號
小弟為剛跨入射頻領域的新手,
目前在看功率電晶體元件(HEMT)相關paper的時候,
在解讀數據上有些問題,希望版上的大大能幫忙解惑。
在觀念不足敘述可能胡言亂語,還請大大能包容。
通常在RF的數據都會包含小訊號跟大訊號
小訊號主要是有 ft, fmax
大訊號則是 Pout, PAE, Gp
都是on wafer量測下的結果 (如下示意圖)
https://imgur.com/a/2wrf3Hw
問題如下:
(1)據我所知on wafer的元件只有設計GSG pad
並沒有做任何的阻抗匹配
在小訊號量測的時候直接下針量測到S參數
然而經由量測到的S參數經由ADS轉換得到的fmax (MAG/MSG @0dB)
據我查資料得到MAG/MAG是在conjugate matching的結果
為什麼元件沒有做量測的阻抗匹配
卻能得到有conjugate matching (MAG/MSG)的結果呢??
另外,這個conjugate matching應該不是跟網儀的50歐姆做匹配吧??
(2)小訊號量測會額外像大訊號一樣使用tuner做阻抗匹配量測嗎??
若是這樣量測得到的S參數應該會不同吧??
那ft(H21=0dB)和fmax(MAG/MSG=0dB)是否也會改變呢??
改變的結果跟元件de-embedded後的結果有關係嗎?
(3)大訊號的量測是透過Load-pull system
因此是有透過tuner做input&output的阻抗匹配
那當我在大訊號定在10 GHz的數據中(如示意圖上黃色的數字)
假設我的Pin為-15dBm 對應到的Gp為20dB
那又假設恰好在小訊號量測的時候恰好也提供-15dBm的功率
請問此時在小訊號上10 GHz是否也是對應到MAG/MSG=20dB ???
(4)若問題(3)成立,那我量測到小訊號的MAG/MSG
可以說是能先透過小訊號預估在大訊號不同頻率下的特性(Gp)嗎?
以上幾個問題,還請版上大大能不吝指教!!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.170.157.94 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/comm_and_RF/M.1562423264.A.3A4.html
※ 編輯: p94107 (1.170.157.94 臺灣), 07/06/2019 22:29:13
※ 編輯: p94107 (1.170.157.94 臺灣), 07/06/2019 22:30:25
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因為從未阻抗匹配的S參數,能間接得到理想的conjugate是多少,再透過ADS輔助計算得到說
在conjugate下,最為理想的power gain曲線 (MAG/MSG)是多少是嗎?
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這部分的意思是說在小訊號得到的MAG/MSG只能理想的估計power gain,但是在load-pull
tune過的並不能達到理想的power gain (可能因為tuner的限制或是matching電路的loss)
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這邊的意思是說小訊號的MAG/MSG 是推測此電晶體在線性下,最為理想的conjugate後
最大增益的資訊
即使大訊號輸入的Pin很小(趨於線性行為??),也會因為上述所提到的matching電路loss
而沒辦法拿小訊號的行為來做預估大訊號
那小訊號得到(ft,fmax)的資訊,不就只能當成一個FOM的指標嗎?
※ 編輯: p94107 (114.33.97.77 臺灣), 07/07/2019 09:38:25
※ 編輯: p94107 (114.33.97.77 臺灣), 07/07/2019 09:51:28
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