Re: [問題] TSMC 0.18um CMOS 與 RF CMOS的差異
※ 引述《davison (davison)》之銘言：
: CIC提供的台積電0.18um RF CMOS製程,有RF CMOS 製程以及Digital CMOS 製程兩種,
: 印象中RF CMOS製程在ADS的模型已經有考慮佈局的雜散效應,Digital CMOS製程因為沒
: 有直接對應的佈局元件,所以ADS的模型是沒有考慮佈局的雜散效應(有誤請指正^^!),
: 除了上述的差異外,想請教各位大大,RF CMOS 製程以及Digital CMOS 製程還有哪些地
: 方不同?另外,如果在ADS使用Digital CMOS模型設計射頻電路,最後可能會發生什麼問
: 題?
我想舉個例子來說明，你可能比較容易了解。
以聯電 90nm 製程為例，他的 Logic/Mixed-Mode Process 裡面包含很多 device，
例如有 SP_RVT, SP_HVT, LL_RVT 這三個常用的 device，
這些 device 他們有對應的 SPICE model for 一般 logic/mixed-mode 設計使用。
另外他們還有 LL_RF device 用於 RF 電路設計，同樣也有其對應的 RF model。
但是事實上， LL_RF 這個 device 並不是一個新的 device，他是從 LL_RVT device
經過下線量測後，建立等效的 RF model。因此另外取一個名稱叫 LL_RF。
因為在 RF 應用時， Device 本身的寄生效應必須被考慮(例如gate的電阻)，
但是其實還有很多RF應用上發生的效應，並沒有完整的被建入 SPICE BSIM
model 中。所以 equation-based 的 model 並不能完整的解釋電路真正的特性，
因此目前大多的 RF model 還是屬於查表法的 model，當使用這個 RF device
時，必須按照當初晶圓廠下線的方式，使用一模一樣的 layout，才能保證與
晶圓廠提供的 RF model 的行為類似。
因此你前面提到， ADS 的 RF Model 包含有Device本身的寄生效應，是對的。
一般 Logic model 的應用範圍並非沒有考慮這些寄生效應，這些都在 SPICE
BSIM model 中，只是當應用到 RF 應用時， model 會出現偏差，需要修正。
因此當初在 0.25um 時， Atheros 就是使用 digital 製程來製作 5GHz 的
802.11a RF circuit。數位製程並非不能拿來做 RF 應用，只是你得要自己解決
RF model 建立的問題。所以重點是，你有沒有一個是經過多次下線驗證過的 RF
model，而不是你是不是用 digital 製程來做 RF。
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.212.31
推
03/18 13:14, , 1F
03/18 13:14, 1F
討論串 (同標題文章)