討論串[請益] 大家好,請教一個電腦CPU耗電的問題
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推噓3(3推 0噓 2→)留言5則,0人參與, 最新作者starsand (對自己負責)時間19年前 (2006/11/29 05:45), 編輯資訊
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這個不一定啦. 並不是每個電晶體後面都有一個大的load. 對單一電晶體來說 電流越大 w/l比是越大沒錯. 但是卻也因此Cload=Cox*W*L也增加. 因此充放電速度(Slew rate)可能因此變慢. 就上面我提到的藉由提高充放電速度來提高工作時脈. 並不一定是要將電流變大 電流變大有幾個缺
(還有48個字)

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者NeoCPT (post blue)時間19年前 (2006/11/29 05:33), 編輯資訊
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抱歉, 我講的不夠清楚... 電晶體電流越大, 對電容的充放電速度就越快. 為了提高工作時脈, 電流勢必得提升 (藉由提高 W/L ratio). 就整顆晶片而言, 電晶體總數大增, 總電流增加得更多. 例:. Pentium (60MHz) 約3A. Pentium 4 (3.8GHz) 約120

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者starsand (對自己負責)時間19年前 (2006/11/29 05:22), 編輯資訊
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為什麼是提高電流??. 在CMOS製程下 K值一定的條件下. I正比V^n. 當工作電壓降低 I應該是變小. 又如何提高電流呢@@. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 59.105.135.143.

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者NeoCPT (post blue)時間19年前 (2006/11/29 05:03), 編輯資訊
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這和 CPU 架構設計有關. 隨著半導體製程演進, 電晶體的 gate oxide 越來越薄. 穿隧效應造成的"漏電", 使得晶片的耗電大增. 為了減少"漏電", 解決方案是降低工作電壓, 同時提高電流. 為了進一步避免不必要的"漏電". CPU 的某些區塊不使用的時候, 會直接被"關掉". 此外,

推噓1(1推 0噓 0→)留言1則,0人參與, 最新作者mander (阿平)時間19年前 (2006/11/28 21:26), 編輯資訊
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電腦CPU會有負載,溫度跟耗電也會跟著增加. 那舉個例子. P4 2.8G 的CPU loading. 0% 跟 40%的時候. 消耗的電力會相同嗎?. 還有是會呈直線成長,還是會像手排車一樣 一段一段的上升. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.119.1
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