[新聞] Pat Gelsinger 稱中國晶片製造「落後十年」,差距會一直持續
Pat Gelsinger 稱中國晶片製造「落後十年」,差距會一直持續
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英特爾執行長 Pat Gelsinger 在世界經濟論壇表示,美國、日本和荷蘭的出口制裁,暫
時限制中國 7 奈米以下製程發展,雖然中國會持續發展半導體產業、設計更先進晶片製
造工具,但仍比全球半導體業落後十年,之後也會一直如此。
Gelsinger 認為,美日荷政策某種程度為中國半導體業設定 10~7 奈米的下限。目前中芯
國際有 7 奈米技術,比台積電和三星晚約五年半;上海華力微電子公司(HLMC)2020 年
開始試產 14 奈米 FinFET 製程,也比台積電落後九至十年。
中芯國際和上海華力微電子都使用荷蘭、日本、韓國、台灣和美國製造設備及材料,但因
無法獲得這些原物料,因此不得不開發自家晶圓廠設備,找出能用於先進晶片的氣體、抗
蝕劑和其他化學品方法。
Gelsinger 預期,中國晶片產業落後全球約十年,雖會不斷發展,但在可預見未來仍落後
十年,主要是因爲「半導體是高度相關產業,包括蔡司鏡片、ASML 設備組裝、日本化學
品和抗蝕劑、英特爾光罩製造,我認為這些加起來有十年差距,且出口政策下,會持續這
十年差距。」
也因此,面對全球整個產業的投入與合作,中國能否靠一己之力獨自完成,仍待商榷,如
果中國無法獲得先進晶片設備和技術,中國半導體公司可能透過逆向工程和仿製來獲取設
備,縮小與全球晶片產業差距,雖然不是可持續下去的方法,但別無選擇。
談到先進製程,Gelsinger 也表示,英特爾正往 2 奈米以下發展,再來是 1.5 奈米,在
製程是看不到盡頭的。
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