[請益] 請問有大大知道Pattern density嗎?

看板Tech_Job作者 (miaw)時間7年前 (2017/07/30 00:15), 編輯推噓15(15推 0噓 16→)
留言31則, 8人參與, 最新討論串1/3 (看更多)
如題 請問大大知道Pattern Density effect嗎?(也有人稱為Loading effect) 知道Pattern Density與u-trench/fence/facet的關係嗎? Pattern Density 與EPD(End point detection)之間有何關係嗎? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 125.227.28.31 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1501344951.A.564.html
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轉到蝕刻半年你就懂了
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哈哈 居然看的懂！
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颱風天問這個真是有向學的心，我不是蝕刻，但是我覺得
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你問的問題paper 上有喔，試著找找看吧！
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推
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難得清流！ 加油
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Clear ratio
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曝光後特定區域吃得慢叫Macroloading effect, 反之叫Mic
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roloading effect ?? 剛查到的, 我最近也suffered這問題
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一陣子~~
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我的理解啦macroloading effect 是指etch時因為面積太小，
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所以吃不下去， loading effect 是因為die有些地方有patte
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rn有些地方沒有，所以在一起etch時，會吃不均勻～～
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sorry,請把macro改成micro
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還在學習, 感謝Vm大大~~
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給你關鍵字 ARDE 與 RIE lag 有興趣可以多看看
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第二個問題的話 通常來講 PR在wafer上佔的面積越少
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Endpoint越好抓
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原因是有顯開的地方 才是主要蝕刻的部分 若蝕刻都在
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吃光阻 endpoint訊號是要抓什麼XD
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推
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樓上EPD觀念有問題唷。End point capture主要不是看hole
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內或trench內。主要是看hole外的by product或是反應物。
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一般hole沒有EP
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對蝕刻而言哪有分hole的內外 外就是光阻 內就是沒
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光阻才吃的下去 ep就是再抓沒光阻的地方 gas跟被蝕
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刻物的反應物發出的emission spectra
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所以如果今天hole的open ratio足夠大 , wafer上滿
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滿的洞 是有可能抓得到ep的
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這部分歡迎站內討論 剛好最近有遇到相關的issue
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推
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一般來說hole要夠多夠大才有機會抓，一般的contact ,via
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就別想了。此外，有一種蝕刻過程中可以直接計算蝕刻深度
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的，忘了簡寫，也許有機會透過偵測PR thickness來當EP
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