[新聞] 三星領先台積 14奈米進化

看板Tech_Job作者 (小隆)時間11年前 (2012/12/22 08:09), 編輯推噓17(19推 2噓 19→)
留言40則, 28人參與, 最新討論串1/1
來源： http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7583228.shtml 原文： 三星昨（21）日宣布成功試產第1顆導入3D 鰭式場效電晶體（FinFET）的14奈米測試 晶片，進度領先台積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚台積電的野心只 增不減。 韓聯社報導，三星與安謀 （ARM）、益華（Cadence）、明導（Mentor）與新思（ Synopsis）共同合作，成功試產出旗下第1顆採用FinFET技術的14奈米測試晶片。 三星系統晶片部門主管表示，14奈米FinFET製程技術可提升電子裝置效能並降低耗電 量，進一步改善行動環境，這也是IBM之後，第2家搭載安謀處理器架構，試產成功的14奈 米FinFET測試晶片。 晶圓代工行動裝置晶片商機大，FinFET技術可以解決不斷微縮的奈米晶片的漏電問題 。三星原本預計14奈米FinFET於2014年量產，與台積電規劃的16奈米FinFET同步。隨著三 星14奈米FinFET試產晶片推出，半導體業者認為，三星FinFET不排除提前半年量產。 台積電面臨三星來勢洶洶的競爭外，格羅方德9月也宣布推出以FinFET導入的14奈米元 件，預計2013年底進入客戶試產階段，2014年正式量產；聯電則預計2014年試產。 台積電為了防堵競爭對手，預計使用安謀首款64位元處理器「v8」測試16奈米FinFET 製程，預計明年11月推出首款測試晶片，最快2014年量產。台積電南科14廠將作為第1個量 產16奈米FinFET基地，再下一個世代的10奈米FinFET製程，預計於2015年底推出。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 111.242.25.142
推
12/22 08:43, , 1F
量產再說
12/22 08:43, 1F
推
12/22 08:49, , 2F
奈米＿＿
12/22 08:49, 2F
推
12/22 08:59, , 3F
能用嗎？
12/22 08:59, 3F
推
12/22 09:07, , 4F
不管能不能用先有新聞拿到面子再說
12/22 09:07, 4F
推
12/22 09:21, , 5F
良率呢?
12/22 09:21, 5F
推
12/22 09:26, , 6F
不過誰先能量產 誰就是贏家 先搶到單再說
12/22 09:26, 6F
推
12/22 11:04, , 7F
三星就算了 格羅方德28都搞不定了 整天在打嘴砲
12/22 11:04, 7F
→
12/22 11:04, , 8F
沒事就出來吹一下牛 才能應付那些產油國的金主嗎?
12/22 11:04, 8F
推
12/22 11:14, , 9F
完了 連台積也失守了 台灣完蛋了
12/22 11:14, 9F
推
12/22 11:46, , 10F
嘴砲而已 GG可以再放個10年心啦 然後就...
12/22 11:46, 10F
推
12/22 11:53, , 11F
再放10年
12/22 11:53, 11F
推
12/22 12:16, , 12F
格羅方德．腦內晶圓廠
12/22 12:16, 12F
推
12/22 12:34, , 13F
WPH多少啊...做出來一回事 成本一回事
12/22 12:34, 13F
→
12/22 12:37, , 14F
格羅芳菊 後台最不缺的就是錢
12/22 12:37, 14F
推
12/22 12:41, , 15F
那就盡量燒嘛 反正多的是
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12/22 14:52, , 16F
出貨文..
12/22 14:52, 16F
推
12/22 16:59, , 17F
南韓的製程聽聽就好,很多是號稱xx奈米實際真的是嗎?
12/22 16:59, 17F
推
12/22 18:01, , 18F
也有可能是三星打嘴泡喔
12/22 18:01, 18F
推
12/22 18:14, , 19F
他的14nm其實....XD
12/22 18:14, 19F
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12/22 20:38, , 20F
GG在20nm賭錯邊,沒走FinFET,結果intel開獎出來居然走
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12/22 20:38, , 21F
FinFET
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12/22 20:39, , 22F
但頭已經洗了一半,只好硬著頭皮繼續下去,FinFET只好改
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12/22 20:39, , 23F
16nm世代再跟進
12/22 20:39, 23F
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12/22 20:40, , 24F
FinFET..GG實際上有點落或,誰輸誰贏還有得拼
12/22 20:40, 24F
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12/22 20:44, , 25F
而且leakage一直是個宿疾,常常因為這東西被客戶訂到
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12/22 20:46, , 26F
希望GG加油,打爆三爽
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12/22 20:50, , 27F
Samsung 是跟IBM授權的，ISDA玩FinFET本來就比台積早
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12/22 20:51, , 28F
而且三星SADP技術比台積成熟
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12/22 20:53, , 29F
不過試產成功跟量產可還有一大段距離就是
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推
12/22 21:23, , 30F
20nm做不做FinFET其實只有成本技術考量而已 沒有什麼賭不賭
12/22 21:23, 30F
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12/22 21:24, , 31F
28nm GG做得很成功 20nm純粹製程微縮而已 當然容易多了
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12/22 21:26, , 32F
做FinFET跟planar 一整個差異大 當然不可能貿然在20nm做
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12/22 21:27, , 33F
Intel本來就是技術領頭羊 可惜他的經營模式很難用在幫人代工上
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12/22 22:30, , 34F
良率還沒出來是要怎麼搶單 = =
12/22 22:30, 34F
噓
12/23 00:27, , 35F
韓國不意外
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12/23 03:25, , 36F
衝股價的新聞嗎？
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12/23 08:57, , 37F
三星其實真的很厲害.. 是說16nm也只是號稱就是了...
12/23 08:57, 37F
噓
12/24 15:49, , 38F
1顆喔~
12/24 15:49, 38F
推
12/25 18:36, , 39F
有點毫洨~因為三星目前連28奈米良率都很差，就要來16
12/25 18:36, 39F
推
12/26 22:55, , 40F
先把良率做出來再說吧..
12/26 22:55, 40F
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