Re: [新聞] 英特爾:持續追求摩爾定律 14奈米製程

看板Tech_Job作者 (無知是幸福)時間13年前 (2012/12/06 17:17), 編輯推噓8(801)
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看到推文有人提到channel材料 我好奇問個技術問題 既然現在Oxide都是High-k用"長"的了 那channel也不一定要用Silicon了吧? 以前是因為SiO2容易長出品質好的Gate絕緣層 但現在可以用遷移速率更快的III-V族 或是其他材料吧? 當然也許非Si的wafer比較貴 但也許哪天應該會有人有辦法在Si substrate長出其他半導體材料層 例如GaAs-on-Si之類的wafer 這樣就不用光靠縮短gate length來提升效能 不曉得除了學術研究外 商業上有人做這塊嗎? ※ 引述《sample0620 (消失的下雨天)》之銘言: : 英特爾:持續追求摩爾定律 14奈米製程按計畫進行 : http://tinyurl.com/bhb8ymn : 2012/12/05-陳玉娟 : 全球半導體產業製程軍備競賽激烈,英特爾(Intel)、台積電與三星等紛砸下重金增強戰力 : ,英特爾(Intel)技術長Justin Rattner於4日來台時再次重申英特爾在半導體製程領先地 : 位,14奈米製程計畫按既定進度進行中,未來1、2年內就可正式量產,而18吋晶圓布局也 : 與合作夥伴緊密合作開發中。 : 此外,英特爾也對摩爾定律(Moore's Law)堅持不懈的追求,也就是電晶體數目每2年就會 : 倍增的高科技產業定律,可以再延續到未來10年。 : 英特爾於2011年5月時正式揭露3D、三閘 (Tri-Gate )電晶體重大突破,22奈米Ivy Bridge : 即為首批採用 3D、三閘電晶體的量產晶片,也讓英特爾穩居半導體產業龍頭地位,而英特 : 爾為力守製程技術領先地位,全力產出效能更高且省電的晶片,先前已釋出相關製程藍圖 : ,包括2013年底將會進入代號分別為P1272、P1273的14奈米CPU及SoC世代,並加碼投資位 : 於Oregon的D1X Fab、Arizona的Fab 42及Ireland的Feb 24晶圓廠,2015年起按既定計畫進 : 入10奈米、7奈米與5奈米製程研發生產。 : 英特爾在每世代技術也都會有重大突破,例如32奈米導入高介電金屬閘極(HKMG),22奈米 : 則採用3D、三閘電晶體技術,14奈米也將導入全新技術。 : 不過,包括台積電、GlobalFoundries與三星等全球晶圓代工大廠也不是省油的燈,先前也 : 大舉釋出下世代製程規劃,其中,相當積極的三星,預計2013年將進入20奈米製程世代, : 14奈米製程也按既定計畫進行,而台積電20奈米在2013年下半就可進入小量生產階段,首 : 款3D架構FPGA晶片也會登場,除既有客戶NVIDIA、超微(AMD)、高通(Qualcomm)等大廠將在 : 2013年上半進入tape-out外,蘋果A7應用處理器接單進度備受關注。 : 此外,企圖心十足的GlobalFoundries先前則宣稱14奈米FinFET製程技術將在2013年底試產 : ,2014年量產,可望領先聯電和三星,且進一步挑戰台積電與英特爾,不過,由於英特爾 : 、台積電在製程技術上擁有顯著領先差距,資本支出即便面臨全球不景氣也不縮減, : GlobalFoundries、三星等欲追上難度甚高。 : 值得注意的是,英特爾全面投入晶圓廠擴建與14奈米等先進製程技術布局,然隨著PC市場 : 動能大減,市場也揣測英特爾在自有產品線恐難填滿所有產能,下一步可能將大舉發展晶 : 圓代工服務,與台積電、三星爭食晶圓代工大餅。 : Rattner就表示,英特爾在半導體製程技術上穩居領先地位,14奈米及之後的10奈米、7奈 : 米製程開發進度相當順利,英特爾不僅是提升製程技術,同時也兼顧微架構改良,而英特 : 爾持續遵循摩爾定律,電晶體數目每2年就會倍增的高科技產業定律,可以再延續到未來10 : 年。 : : 在18吋晶圓布局方面, 英特爾先前已宣佈投資荷蘭設備大廠ASML,主要是看好EUV微影技 : 術,然按目前進度來看,英特爾18吋晶圓及EUV微影可望在2017年前投產,也是居於領先地 : 位。 : 雖然製程技術輸很大 : 但是2330還是要加油!!! : 台灣現在只有靠你們在上面撐了 : 英特爾裡面的工程師都是天才嗎 : 還是外星人 : 怎麼那麼利害 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 58.114.110.126

12/06 17:54, , 1F
GAN HEMT 散熱無法解決
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12/06 18:26, , 2F
磊晶一層其他的材料上去mobility不會比較快
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12/06 18:37, , 3F
光要把晶格常數差異很大的東西長上去就是問題
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12/06 21:45, , 4F
III-V族還有RC delay的問題
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12/06 22:39, , 5F
不是還有graphene嗎?雖然不知道還要多久
12/06 22:39, 5F

12/06 23:21, , 6F
defect end
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12/06 23:28, , 7F
製程的整合難度超高啊.......
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12/06 23:46, , 8F
SOI先
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12/07 02:01, , 9F
改用三五族長在Si上這個intel有在做..應該是用MBE長
12/07 02:01, 9F
文章代碼(AID): #1Gm6AwCK (Tech_Job)
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