[討論] SSD 耐久度測試 25nm VS 34nm
原文出處:
http://www.xtremesystems.org/forums/showthread.php?271063-SSD-Write-Endurance-25nm-Vs-34nm
縮網址:
http://tinyurl.com/3vybsa9
在國外論譠剛好看到有網友在做寫入測試
就轉來和大家分享
目前寫入仍持續進行中
25nm的FLASH官方說法是可以抹除3000次的壽命
但M4 64G目前SMART的資料上是顯示平均5228次:
(註:Marvell晶片88S9174是用靜態抹除-Static Wear-leveling
應很接近實際上的抹除次數。)
共寫入了304TB的資料。
而intel 320 40G是用動態抹除(Dynamic Wear-leveling)的方式
也寫抹除了8047次。(SMART訊息沒有,應該他們自己推算來的。)
共寫入了284TB的資料。
個人感想:
34nm官方說法是可抹除5000次,論譠上測試X25-V也寫了236TB。
我個人平常的使用上只把IE設在RAMDisk上,其他分頁檔也沒什麼轉。
24小時開機正常使用,沒下載什麼東西在SSD上,用軟體監測24小時,
約寫入4GB。所以就算要把25nm的FLASH寫壞,是不太可能的事。
大多應該週邊的電路故障比較有可能。
再者,SSD較新的控制晶片論效能跟韌體的優化,還是會比上一代好。
如M4跟C300,及X25-M跟320。
像X25-M跟320同樣用PC29A這顆控制晶片,但寫入放大就由1.06到1.02。
當然這也有可能是誤差範圍,但持續寫入倒是進步不少。
寫入壽命我想已經不是考量的重點了,應該效能上即控制晶片的考量。
像有段時間的控制IC - 像Indilinx的Barfoot跟S3C29系列的,
寫入放大差,隨機存取效能也不是很好,我想演算法一直在進步改良,
它們平均抹除運算,應該也落後了不少。
目前看看,還是考慮Mavell、Intel跟Sanforce的方案。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
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