[請益] 端側AI DRAM繼續噴嗎?
小米昨天發表了三顆晶片
D100 O3 O100
一個是智駕 (為了小米汽車吧 目前車上是跟老黃買的)
一個是手機
但最有興趣的是這個O100
https://i.mopix.cc/IoNl6o.jpg

這個使用了
logic上面銅銅鍵合兩層DRAM
應該是tsmc做的
更正 應該不是
是對岸SMIC or YMTC 弄的
有人拿到chip磨開來
https://b23.tv/5PO2Dgq
https://i.mopix.cc/R8hAJA.jpg

HB pitch 1.4um 遠小於台積電的規格
https://i.mopix.cc/B4ie9G.jpg

之前還沒有人這樣疊
這應該就是邏輯疊小HBM
https://i.mopix.cc/mjzbQb.jpg

頻寬達到1.2TB/s
LPDDR方案的16倍左右
這是HBM3E的水平了
https://i.mopix.cc/O244EL.jpg

然後因為是直接鍵合
所以功耗又非常低
可以放在行動裝置裡面
O3+O100的組合跑端側AI
https://i.mopix.cc/antmQ3.jpg

330 token/s
股點 DRAM繼續噴?
個人部署的部分可以三顆一起用
https://i.mopix.cc/YEuWTM.jpg

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.216.223.31 (臺灣)
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有原型機了
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