Re: [標的] ASML 中國的EUV可能是真的

看板Stock作者 (rosemary)時間9月前 (2025/06/14 17:30), 編輯推噓88(92推 4噓 134→)
留言230則, 90人參與, 9月前最新討論串2/3 (看更多)
※ 引述《good123456 (網軍吃屎)》之銘言： 很多地方都已經披露，事後證明，這個中國做出EUV的消息是假的。 但是股板的資訊似乎還沒有更新，所以來給大家說明一下這個中國EUV消息的後續。 : 根據X上的小道消息指採用LDP技術的EUV最近在華為東莞工廠預計2025 Q3進行測試，並預期 : 2026進行量產計畫： : https://reurl.cc/96gRyv 上面這個連結已失效，因為Twitter(X)上的原文已刪除。 那原本的文章裡講些什麼呢？文章裡面有這一張圖片，圖片裡有一個機器： https://imgur.com/lDO9p5e
機器上面寫著『EUV光刻物鏡裝調干涉儀』 然後文章裡面各種吹捧。頓時，網上各種自嗨： 『一台机器低调亮相，上面汉字令欧洲不寒而栗：ASML大势已去？』 那為什麼後來被披露，這個中國做出EUV的消息是假的呢？ 首先，如果這個機器如果是EUV，那也太小了。 ASML真正的EUV是很大一台的。 而且，機器上的字就已經說明， 這是『EUV光刻物鏡裝調干涉儀』不是『EUV曝光機(光刻機)』 你不能因為機器上有EUV三個字，就說中國做出EUV。 用棒球來打個比方， 這就好像中國蓋了一個『全壘打牆』，然後你說中國打出『全壘打』，這樣是不對的。 是的，『全壘打牆』中確實有『全壘打』三個字。 但『全壘打牆』是一個設備，用來衡量你打出來的球，是否可以被定義為『全壘打』 並不代表你真的打出了『全壘打』。 同理，『EUV光刻物鏡裝調干涉儀』就是一個用來裝配調教EUV光刻機中物鏡的設備。 並不代表中國做出了『EUV曝光機』。 當然，這並不是第一次，也不會是最後一次， 有心人士透過自媒體，揭露中國『疑似』做出EUV的假消息。 之後我們應該還是會看到很多次 『中國低調穩健，技術突破；歐美驚呆，又慌又怕』的消息。 但我們還是不得不說，中國在技術方面，確實有在進步。 做出EUV光刻物鏡裝調干涉儀，也表示中國在嘗試攻克EUV相關的技術。 EUV並不是像『移民火星』或是『時光機器』一樣，在人類的歷史上，從來沒有做到過 EUV除了ASML之外，日本的尼康也曾在2007-2008年左右就做出EUV的樣機， 當時美日半導體科技戰的背景之下，尼康的EUV一度只落後ASML約18個月， 但最後因研發成本昂貴，又無法在商業上取的進展，最終尼康放棄了EUV的開發。 也許中國在1-3年之內，像2007-2008年的尼康一樣，做出一台EUV的樣機，這並非不可能。 到時候，中美半導體的科技戰，可能會上升到EUV的零部件， 因為ASML的EUV曝光機，其實大量採用其他美日歐公司的零部件， EUV曝光機的零件包含但不限於： 光源系統：美國Cymer，日本Gigaphoton 鏡頭：德國蔡司 光罩：美國Photronics，日本DNP 雙工作台：日本東京威力科創 真空儀器儀表：美國BrooksAutomation 離子注入機套件：美國AxcelisTechnologies …等等 中國正在攻克EUV的光源系統，但是鏡頭是用蔡司的，其他零部件不可能全部都自己製造。 所以，到時候中美半導體的科技戰，可能會上升到EUV的零部件的部分。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 113.39.122.17 (日本) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1749893409.A.326.html
→
06/14 17:33, 9月前 , 1F
本來就沒人信
06/14 17:33, 1F
推
06/14 17:36, 9月前 , 2F
做出EUV沒意義，美國晶片設計公司不會下單給中國。
06/14 17:36, 2F
→
06/14 17:36, 9月前 , 3F
蘇聯就玩過半導體城了，中國還是要突破晶片設計有
06/14 17:36, 3F
→
06/14 17:36, 9月前 , 4F
自有可賣的TPU,GPU,ARM才有用，會做車子沒辦法外銷
06/14 17:36, 4F
推
06/14 17:41, 9月前 , 5F
畫虎爛又不用給錢 認真你就輸了 左岸主力在成熟 右
06/14 17:41, 5F
→
06/14 17:41, 9月前 , 6F
岸成熟要注意了 話說當年美國也是用星戰計畫唬爛蘇
06/14 17:41, 6F
→
06/14 17:41, 9月前 , 7F
聯 鼻屎鼻屎啦
06/14 17:41, 7F
推
06/14 17:41, 9月前 , 8F
不重要 反正就是中又贏
06/14 17:41, 8F
→
06/14 17:42, 9月前 , 9F
做出來不難，做出能用的很難
06/14 17:42, 9F
推
06/14 17:45, 9月前 , 10F
中國有蔡司研發中心跟工廠
06/14 17:45, 10F
推
06/14 17:46, 9月前 , 11F
就算退一百步來說，真的成功了，也追不上
06/14 17:46, 11F
推
06/14 17:48, 9月前 , 12F
光源的部分則是想走別條路，但聽說目前的能量不足
06/14 17:48, 12F
推
06/14 17:52, 9月前 , 13F
真的有人會信這種==？
06/14 17:52, 13F
推
06/14 17:52, 9月前 , 14F
而且我看之前ASML跟學界的說法是做出EUV而非EUV機台
06/14 17:52, 14F
→
06/14 17:52, 9月前 , 15F
，指的是光源、不是說已經有產業等級的機台
06/14 17:52, 15F
推
06/14 17:52, 9月前 , 16F
只有LPP路線成功而已，其他都不可行
06/14 17:52, 16F
→
06/14 17:53, 9月前 , 17F
當年台積三星牙膏在推EUV時從有光源到有能量產機台
06/14 17:53, 17F
→
06/14 17:53, 9月前 , 18F
經過好幾年
06/14 17:53, 18F
→
06/14 17:54, 9月前 , 19F
有光源模組只是起步而已
06/14 17:54, 19F
→
06/14 17:55, 9月前 , 20F
是烤麵包機吧
06/14 17:55, 20F
推
06/14 17:57, 9月前 , 21F
LPP技術是東芝及海力士都有幫忙開發的，專利方面就
06/14 17:57, 21F
→
06/14 17:57, 9月前 , 22F
全卡死了
06/14 17:57, 22F
→
06/14 18:00, 9月前 , 23F
不重要
06/14 18:00, 23F
→
06/14 18:01, 9月前 , 24F
首先你要知道ptt基本上已經被中國化
06/14 18:01, 24F
推
06/14 18:01, 9月前 , 25F
問題不是單方面的 ASML的EUV又不是只有GG有
06/14 18:01, 25F
→
06/14 18:02, 9月前 , 26F
Intel跟三星已經有EUV多少年了 現在還是掙扎到不行
06/14 18:02, 26F
推
06/14 18:02, 9月前 , 27F
大家過度放大ASML的評論了，人家只是就EUV產生下評
06/14 18:02, 27F
→
06/14 18:02, 9月前 , 28F
論，跟馬上會出現商業競爭方案是兩回事
06/14 18:02, 28F
→
06/14 18:02, 9月前 , 29F
除非你中國做出EUV是要賣給GG/Intel/三星 當設備商
06/14 18:02, 29F
推
06/14 18:02, 9月前 , 30F
之前不是還有人在吹華為做出5nm，看極客灣跑分單核
06/14 18:02, 30F
→
06/14 18:02, 9月前 , 31F
也就跟A12一樣而已
06/14 18:02, 31F
推
06/14 18:03, 9月前 , 32F
西台灣想試著走DPP路線，但能量太低，缺乏量產效率
06/14 18:03, 32F
→
06/14 18:03, 9月前 , 33F
不然就算做出EUV 那也只是鏟子能用了 跟產礦還遠
06/14 18:03, 33F
→
06/14 18:03, 9月前 , 34F
我是一直覺得那個5/7nm就是12nm++++++超強化版
06/14 18:03, 34F
→
06/14 18:04, 9月前 , 35F
中間整合關卡太多，時間拉長的確有機會逐步攻克，但
06/14 18:04, 35F
→
06/14 18:04, 9月前 , 36F
那時候台積電都不知道攤完幾座廠的投資了
06/14 18:04, 36F
→
06/14 18:04, 9月前 , 37F
跟I皇炸掉的這兩代產品意義差不多
06/14 18:04, 37F
推
06/14 18:07, 9月前 , 38F
i皇是因為SPR晚一年才發售，所以才炸裂的
06/14 18:07, 38F
推
06/14 18:07, 9月前 , 39F
和武漢弘芯： 這玩得比我認真！！！！！！
06/14 18:07, 39F
還有 151 則推文
→
06/15 11:07, 9月前 , 191F
覺得台灣不需要看輕中國吧,人家至少做出機台了
06/15 11:07, 191F
推
06/15 12:55, 9月前 , 192F
沒看輕 只是不爽垂
06/15 12:55, 192F
→
06/15 12:55, 9月前 , 193F
吹
06/15 12:55, 193F
→
06/15 14:18, 9月前 , 194F
支吹自己貼的圖都打臉自己DS 吊打其他家的說法了
06/15 14:18, 194F
→
06/15 14:18, 9月前 , 195F
笑死 被GPT 吊打 跟Germini Grok 差不多 這還是精
06/15 14:18, 195F
→
06/15 14:18, 9月前 , 196F
心挑出來的評比 綜合評比跟幻覺DS 被吊打 不敢貼嗎
06/15 14:18, 196F
→
06/15 15:03, 9月前 , 197F
曝光機上面寫殘體字 感覺真醜
06/15 15:03, 197F
推
06/15 16:31, 9月前 , 198F
那本來就是給中吹看的 不過還是感謝分享
06/15 16:31, 198F
推
06/15 23:09, 9月前 , 199F
EUV的laser source不是cymer 不是giga,是 trumpf
06/15 23:09, 199F
推
06/16 11:07, 9月前 , 200F
中吹信了
06/16 11:07, 200F
→
06/17 00:16, 9月前 , 201F
https://reurl.cc/Gn8opD 結果華為正式測試國產EUV
06/17 00:16, 201F
→
06/17 00:16, 9月前 , 202F
了
06/17 00:16, 202F
→
06/17 00:17, 9月前 , 203F
東莞松山湖畔的華為工廠裡，一台刻著“中國製造”的
06/17 00:17, 203F
→
06/17 00:17, 9月前 , 204F
龐然大物正在全速運轉。 它投射出的極紫外光束精準
06/17 00:17, 204F
→
06/17 00:17, 9月前 , 205F
落在晶圓上，刻畫出僅有頭髮絲萬分之一細的電路。
06/17 00:17, 205F
→
06/17 00:17, 9月前 , 206F
這不是ASML的機器，而是華為聯合國內產業鏈自主研發
06/17 00:17, 206F
→
06/17 00:17, 9月前 , 207F
的EUV光刻機。 現場工程師透露，其核心光源效率已達
06/17 00:17, 207F
→
06/17 00:17, 9月前 , 208F
3.42%，距離國際頂尖水平僅差“最後一公里”
06/17 00:17, 208F
→
06/17 00:18, 9月前 , 209F
測試資料顯示，該裝置每小時可處理250片晶圓，超越A
06/17 00:18, 209F
→
06/17 00:18, 9月前 , 210F
SML同等級裝置的195片產能。 其核心光源採用哈工大
06/17 00:18, 210F
→
06/17 00:18, 9月前 , 211F
研發的雷射誘導放電電漿體（LDP）技術，能量轉換效
06/17 00:18, 211F
→
06/17 00:18, 9月前 , 212F
率達到ASML方案的2.25倍，裝置體積卻縮小了30%。
06/17 00:18, 212F
→
06/17 00:18, 9月前 , 213F
與ASML的二氧化碳雷射轟擊技術不同，中國團隊選擇了
06/17 00:18, 213F
→
06/17 00:18, 9月前 , 214F
“換道超車”策略。 哈工大開發的放電電漿體極紫外
06/17 00:18, 214F
→
06/17 00:18, 9月前 , 215F
光源（DPP）採用固體脈衝雷射器，直接將電能轉化為
06/17 00:18, 215F
→
06/17 00:18, 9月前 , 216F
電漿體輻射，省去了複雜的雷射放大環節
06/17 00:18, 216F
→
06/17 00:19, 9月前 , 217F
這使得裝置功耗降低40%，成本僅為進口裝置的1/3。
06/17 00:19, 217F
→
06/17 00:19, 9月前 , 218F
更關鍵的是，該技術完全繞開ASML的LPP（雷射電漿體
06/17 00:19, 218F
→
06/17 00:19, 9月前 , 219F
）專利壁壘。
06/17 00:19, 219F
→
06/17 00:19, 9月前 , 220F
荷蘭ASML內部報告曾評估：“中國至少需要十年突破EU
06/17 00:19, 220F
→
06/17 00:19, 9月前 , 221F
V”，但華為聯合實驗室僅用18個月就將光源技術從實
06/17 00:19, 221F
→
06/17 00:19, 9月前 , 222F
驗室推進到產線。
06/17 00:19, 222F
→
06/17 00:19, 9月前 , 223F
國家“十四五”專項規劃為光刻機研發注入超200億元
06/17 00:19, 223F
→
06/17 00:19, 9月前 , 224F
資金，重點攻堅光學鏡頭、雷射光源等核心部件。
06/17 00:19, 224F
→
06/17 00:19, 9月前 , 225F
上海臨港迅速建成光刻機產業園，聚集科益虹源、國望
06/17 00:19, 225F
→
06/17 00:19, 9月前 , 226F
光學等30余家上下游企業。 其中，科益虹源的光源技
06/17 00:19, 226F
→
06/17 00:19, 9月前 , 227F
術已實現穩定輸出，國望光學的物鏡系統精度達0.2奈
06/17 00:19, 227F
→
06/17 00:19, 9月前 , 228F
米級，超越ASML採用的德國蔡司鏡頭。
06/17 00:19, 228F
推
06/17 00:30, 9月前 , 229F
https://reurl.cc/5KjGbR 美國限制EDA軟體就是預防
06/17 00:30, 229F
→
06/17 00:30, 9月前 , 230F
與國產EUV搭配
06/17 00:30, 230F
‣ 更多 rosemary0401 的文章
文章代碼(AID): #1eJK4XCc (Stock)
討論串 (同標題文章)
本文引述了以下文章的的內容：
以下文章回應了本文：
完整討論串 (本文為第 2 之 3 篇)：
排序： 最新先 | 最舊先 | 留言數
在新視窗開啟完整討論串 (共3篇)
‣ 更多 rosemary0401 的文章
文章代碼(AID): #1eJK4XCc (Stock)