[問題] 無限大的導體平板

看板Physics作者 ( )時間12年前 (2012/08/21 22:54), 編輯推噓4(4推 0噓 14→)
留言18則, 4人參與, 最新討論串1/2 (看更多)
各位版友好 最近想到一個問題 無限大的平板其電場為 E = σ / 2ε0 推導的方法可用畫跨穿越平板的高斯圓柱面求得 但我的問題是倘若這個平板是個導體 假如有帶電 電荷應該分布在表面上 那麼個這個橫跨平板的高斯圓柱裡面應該包含有兩個帶電的面積 可是書上在使用高斯定律時推導都只會算一個 (難道無限大平板就可以沒有厚度了嗎 導體電荷應該分布在表面呀) 我知道用兩個帶電面積的算法會和推導導體表面的電場一樣 也就是我分不清楚書上"無限大平板"和一個平板導體的差別 所謂的無限大平板是怎麼樣的結構? 一定是非導體固定電荷的case嗎? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 123.192.108.180
推
08/22 00:15, , 1F
導體 E(2A)=2A*p/e E=p/e 非導體 E(2A)=A*p/e E=p/2e
08/22 00:15, 1F
→
08/22 00:22, , 2F
不好意思 剛翻了一下課本懂你的意思了
08/22 00:22, 2F
→
08/22 00:23, , 3F
無限大導體平板 高斯面內部是取在導体內 (E=0)
08/22 00:23, 3F
→
08/22 00:23, , 4F
外面就是取在 導體外 所以內部E=0的情況下 只有表面
08/22 00:23, 4F
→
08/22 00:24, , 5F
有電荷分布 所以取E(A)=A*p/e E=p/e 跟一般平板高斯面
08/22 00:24, 5F
→
08/22 00:24, , 6F
那我也可以取穿過導體阿 但是不管怎麼取應該都一樣
08/22 00:24, 6F
→
08/22 00:25, , 7F
內外都是取在導體外不同 至於為何無線大導体平板高斯面
08/22 00:25, 7F
→
08/22 00:25, , 8F
要取在導体內部 這我就不清楚了
08/22 00:25, 8F
→
08/22 00:26, , 9F
不一樣喔 高斯面內部取在導体外的話 就有經過兩個
08/22 00:26, 9F
→
08/22 00:27, , 10F
電荷分布的平面就會變成一般導體平板的狀況了
08/22 00:27, 10F
→
08/22 00:27, , 11F
所以我才說導體怎怎麼取結果不會變 但是我不是問這個
08/22 00:27, 11F
推
08/22 02:22, , 12F
我沒記錯的話 導體E = σ/ε0那個σ指的是單一個面的面密
08/22 02:22, 12F
→
08/22 02:23, , 13F
度 而你講的無限大平板的σ則是所有的面密度 差兩倍
08/22 02:23, 13F
→
08/22 02:24, , 14F
也就是無限大平板的σ是把兩個面的電荷都算進去了的
08/22 02:24, 14F
推
08/22 13:49, , 15F
我知道為什麼無限大導体平板要取在內部了
08/22 13:49, 15F
→
08/22 13:50, , 16F
可視為無限大導体平板把既有空間分成兩部份 所以只須求
08/22 13:50, 16F
→
08/22 13:52, , 17F
其中一面的電場
08/22 13:52, 17F
推
08/23 23:28, , 18F
有阿 所以均勻分布後再除以2還是一樣答案阿
08/23 23:28, 18F
‣ 更多 dxdxt 的文章
文章代碼(AID): #1GCw4mgz (Physics)
‣ 更多 dxdxt 的文章
文章代碼(AID): #1GCw4mgz (Physics)