Re: [請益] 磁性質和domain的關係
※ 引述《h888512 (理論型嘴砲)》之銘言:
: muti-domain的材料具有較大的飽和磁化強度這個可以理解,因為align後是parallel
: 但為何矯頑磁力和殘存磁化率卻是single-domain時較大??
矯頑磁力:
多磁區: 磁化時優先移動磁壁 (使得與磁場同向的磁區變大, 與磁場反向的磁區變小)
單磁區: 磁化時需整組磁矩一起翻轉.
移動磁壁 (磁區與磁區的交界) 所需抵抗的能障, 遠小於讓整組磁矩翻轉的能障,
所以後者的「矯頑磁力」較大.
殘存磁化率:
多磁區: 在磁場移走後,
能量最低態應該仍是各方向磁區的大小相近 (使空間的μH^2 積分為最小)
使得 ΣM 的累積甚小
單磁區: 在磁場移走後, 磁矩方向回到異向性能最低的地方, 磁化仍保留.
所以後者的「殘存磁化率」較大.
※ 編輯: lkkb 來自: 111.254.201.247 (06/22 18:15)
推
06/22 18:31, , 1F
06/22 18:31, 1F
推
06/22 21:33, , 2F
06/22 21:33, 2F
→
06/22 21:36, , 3F
06/22 21:36, 3F
→
06/22 21:36, , 4F
06/22 21:36, 4F
推
06/22 23:57, , 5F
06/22 23:57, 5F
推
06/23 21:29, , 6F
06/23 21:29, 6F
討論串 (同標題文章)
完整討論串 (本文為第 2 之 2 篇):