Re: [轉錄][新聞] IBM百歲 做出全球首顆石墨烯IC

看板Physics作者 (So Fun)時間13年前 (2011/06/12 12:30), 編輯推噓7(702)
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石墨烯取代Si作為電晶體的主力材料一直是作碳材料科學家的大餅 目前只能說他是後CMOS時代熱門材料的候選人之一 同為候選人的 還有三五族 跟 碳管以及 光積體電路 光積體電路我沒有接觸 先跳過不談 石墨烯之所以比碳管來的更具應用的優勢 最簡單來說 製作電晶體二維結構遠比一維結構來的簡易 而碳管又因天生結構的差異 不易控制為半導體或者金屬性(雖然目前號稱可以控制) 但是無法定位定方向 這還有一段路要走 回到石墨烯取代矽 或者 三五族 石墨烯最大的優勢 在於 高載子遷移率 且製程便宜 無汙染 但是 作為電晶體的致命傷 是 天生並不具有能隙 換句話說 無能隙 並沒有所謂的Ioff導致Ion/Ioff 很小 可以想成漏電流極高 當然利用一些方式可以打開能隙 但是 載子遷移率因此下降 反觀 三五族也具有高載子遷移率 而 寬能隙也可降低Ioff電流 如果真要用於電晶體方面 目前大家比較看好往類比電路 或者需要速度較高的電晶體 發揮石墨烯先天的優勢 順帶一提,關於石墨烯製備的方面 石墨烯採用 機械剝離 氧化還原 跟 CVD法 要跟業界作整合的話 如同基隆人前輩所說 CVD法為主流 目前CVD法 可分成 SiC Ni Cu三種 SiC 剛好是原PO提到的 Heer為主流 最快 最先 最好(我只停留在2010的資訊,Orz) Cu跟Ni都為金屬催化劑 目前逐漸轉往Cu 系統為主 至於大面積應用 在2010年 三星已經在銅箔上長出30吋的石墨烯 實際真的如此嗎?有一些小小的疑問,不過又是另一件事了 但是大面積已經不是製備石墨烯的主要問題 我想未來在製備石墨烯的方向 會往低溫製程 跟直接在絕緣體上成長為主 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 1.169.171.5

06/12 12:51, , 1F
on/off ratio太小會是致命傷啊...
06/12 12:51, 1F

06/12 16:12, , 2F
三五基本上是不太可能取代矽的...
06/12 16:12, 2F

06/12 17:22, , 3F
推~ 可以請nevinyrrals大說詳細一點嗎?
06/12 17:22, 3F

06/12 19:36, , 4F
因為Si太便宜吧...(?) 比較有機會的是相容矽製程的三五族
06/12 19:36, 4F

06/12 19:36, , 5F
通道FET...
06/12 19:36, 5F

06/13 14:05, , 6F
y大說得沒錯 而且三五的毒性和製程成本都高
06/13 14:05, 6F

06/13 18:32, , 7F
放下GaAs,投入GaN的懷抱吧~~
06/13 18:32, 7F

06/17 14:19, , 8F
國內有誰是研究石墨烯的嗎?
06/17 14:19, 8F

06/19 00:38, , 9F
還滿多的吧 看你想問哪間學校
06/19 00:38, 9F
文章代碼(AID): #1Dz43LW8 (Physics)
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