請問一個基本的半導體接觸的問題
想問個基本問題 實在太困擾了
在討論 金屬 與 半導體(n-type, 功函數<金屬) 接觸時
能帶的變化如圖
http://www.chinabaike.com/article/UploadPic/2008-1/2008110112318372.jpg
問題是
我可以了解接觸時 電子從半導體流向金屬 裸露出電性為正
但是怎麼解釋半導體表面的能帶向上翹?
我的認知是+的電性 對電子來說應該是位能低(喜歡過去)
應該要能帶向下阿?
這一點不懂 搞得之後看MOS的接觸都是跟我認知相反
在半導體端有-電荷 能帶下翹 有+電荷 能帶上翹
還是我的因果關係搞反了?
但是PN接面就跟我認知一樣
http://163.20.22.161/Science/content/1990/00020242/images/122.gif
拜託了
感謝回答
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 118.169.72.237
→
02/07 17:18, , 1F
02/07 17:18, 1F
→
02/07 17:18, , 2F
02/07 17:18, 2F
→
02/07 17:20, , 3F
02/07 17:20, 3F
→
02/07 17:21, , 4F
02/07 17:21, 4F
→
02/07 17:22, , 5F
02/07 17:22, 5F
→
02/07 17:22, , 6F
02/07 17:22, 6F
→
02/07 17:24, , 7F
02/07 17:24, 7F
→
02/07 17:26, , 8F
02/07 17:26, 8F
→
02/07 17:27, , 9F
02/07 17:27, 9F
我想你說的判斷方法應該就是遵循三個規則
1.熱平衡時,系統fermi level為定值
2.電子最低自由能階連續
3.半導體電子親合力永遠定值
依照這三法則 就可以畫能帶圖的變化
但是我沒辦法很直觀的解釋
以MOS接觸來說
http://www.chinabaike.com/article/UploadPic/2008-1/2008110124734635.jpg
怎麼解釋在反轉區時(最右圖)
半導體表面已經有很多負電荷 為何表面Ec Ev能帶是向下彎(往低電位)?
我認知是 該區域很多負電荷 應該會使該區越不喜歡電子,使電位往上翹
謝謝解惑
※ 編輯: ketbra 來自: 118.169.75.16 (02/07 18:06)
討論串 (同標題文章)
以下文章回應了本文:
完整討論串 (本文為第 1 之 2 篇):