請問一個基本的半導體接觸的問題

看板Physics作者 (QQ)時間14年前 (2010/02/07 16:54), 編輯推噓0(009)
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想問個基本問題 實在太困擾了 在討論 金屬 與 半導體(n-type, 功函數<金屬) 接觸時 能帶的變化如圖 http://www.chinabaike.com/article/UploadPic/2008-1/2008110112318372.jpg
問題是 我可以了解接觸時 電子從半導體流向金屬 裸露出電性為正 但是怎麼解釋半導體表面的能帶向上翹? 我的認知是+的電性 對電子來說應該是位能低(喜歡過去) 應該要能帶向下阿? 這一點不懂 搞得之後看MOS的接觸都是跟我認知相反 在半導體端有-電荷 能帶下翹 有+電荷 能帶上翹 還是我的因果關係搞反了? 但是PN接面就跟我認知一樣 http://163.20.22.161/Science/content/1990/00020242/images/122.gif
拜託了 感謝回答 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 118.169.72.237

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金屬與半導體的邊界點是固定的
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往右必須是半導體的特性 功函數 電子親合力都不能變
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半導體功函數比較小 代表費米能階比較高
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可以用水位的概念來思考 合起來以後
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半導體的費米能階確實要往下 而金屬的費米能階要往上
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才有可能合成一條 因為熱平衡時只會有一條費米能階
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謝謝熱心解釋 可是我不了解why半導體表面Ec Ev的向上翹
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PN接面在冶金接面附近會有空乏區 解電場使用怕松方程
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就看費米能階的相對高低就可以知道了
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我想你說的判斷方法應該就是遵循三個規則 1.熱平衡時,系統fermi level為定值 2.電子最低自由能階連續 3.半導體電子親合力永遠定值 依照這三法則 就可以畫能帶圖的變化 但是我沒辦法很直觀的解釋 以MOS接觸來說 http://www.chinabaike.com/article/UploadPic/2008-1/2008110124734635.jpg
怎麼解釋在反轉區時(最右圖) 半導體表面已經有很多負電荷 為何表面Ec Ev能帶是向下彎(往低電位)? 我認知是 該區域很多負電荷 應該會使該區越不喜歡電子,使電位往上翹 謝謝解惑 ※ 編輯: ketbra 來自: 118.169.75.16 (02/07 18:06)
文章代碼(AID): #1BRd_Pqp (Physics)
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