大家好, 有一點基本的固態物理問題想請教m(_ _)m, 謝謝您撥冗觀看
1. K與G的關係 (向量符號省略)
常見的 E versus K band structure 圖形,舉例來說K軸用K=[111] direction,
此時可用各式各樣的G(ex:000 010 011...)將超過1st Brillouin zone之範圍
平移進1st Brillouin zone.
K 與 G空間相關性(物理意義)何呢?
因3D的1st Brillouin zone各方向以reciprocal lattice
G = v1B1 + v2B2 + v3B3表示
ex: Sigma(原點)-delta-X(希臘字母打不出來),也可看見縱座標為 E ,橫坐
標為希臘字母(reciprocal lattice中的位置代碼)的band structure,
ex:Kz與"Sigma(原點)-delta-X"是重疊的
這只是恰巧所繪的K與G是同方向嗎? (ex: Kittel 7th 217頁)
如是,又為何可將各種方向的G平移向量都作用在單一方向的K呢? 是投影
的概念嗎? (ex: Kittel 7th 189頁)
2. Electron effective mass in Silicon
使用在Density of state的 effective mass為 6^(2/3) X (mL mT^2)^(1/3)
其中(mL mT^2)^(1/3)是 mL mT 的幾何平均,6可想成六個energy valley的貢獻
但 (2/3)又是何意義呢?
使用在Conductivity的 effective mass為 (1/3) X [(1/mL)+(2/mT)]
(1/3) X [(1/mL)+(2/mT)]是 mL mT 的調和平均 但六個energy valley的貢獻
又到哪去了?
3. 請問Ge的Density of state和Conductivity的 effective mass公是可到哪邊
找呢?想驗證八個energy valley如何構成effective mass(暫時沒有找到)
謝謝您的指導m(_ _)m
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