Re: [題目] 憶阻器

看板Physics作者 (再拼一下)時間17年前 (2008/06/20 22:05), 編輯推噓3(302)
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※ 引述《hill48 ()》之銘言: : [領域] (題目相關領域) : 電子電路元件 : [來源] (課本習題、考古題、參考書...) : 版上文章分享 : [題目] : 可以有多一點的中文相關資訊麼? : [瓶頸] (寫寫自己的想法,方便大家為你解答) : 很好奇這類的研究是因為惠普實驗室發表在nature的文章後,才開始興起的麼? : 還是已經有很多人投入這領域了? 我認為 (1) 這東西沒有資格當第四種被動元件, (2) 有可能有一些應用,但是要跟flash拼,也還要努力很多項目吧. 第一點,是這樣的: 它的定義 d PHI ----- d q 可以推導到成為 V/I 咦 這不就是電阻嗎 我困擾了幾個禮拜 http://en.wikipedia.org/wiki/Memristor Memristor theory 第二個式子 這個forum http://www.physicsforums.com/showthread.php?t=232425 有一些推導和討論. 現在我覺得不過就是一個charge depandant 的resistor. physicsforums討論講的是 just a resistor with histeresis. 講應用的話很難說.... 太多領域我不懂. 以TiO2這種材料, ion move來像Flash NVM元件記憶 data retention這關, 還有read disturb這關 我想就有點拼了 半年後就冷掉了吧.....我猜. 不知道是不是ptt上第一個看衰memristor的 XD -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 122.120.34.59 ※ 編輯: xzcvb 來自: 122.120.34.59 (06/20 22:13)

06/20 22:15, , 1F
有錯就請指正.
06/20 22:15, 1F

06/20 22:28, , 2F
不過 resistor with hysteresis 就跟數位存資料
06/20 22:28, 2F

06/20 22:29, , 3F
很有關係耶,這樣省去形成方波的一堆元件
06/20 22:29, 3F

06/20 22:33, , 4F
不過也許已經有很好用的了吧 我這邊很外行XD
06/20 22:33, 4F

06/20 22:44, , 5F
其實...類似的東西存在很久了... ex: phase change memory
06/20 22:44, 5F
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