[情報] 三星明年完成3nm GAA工藝開發 性能大漲35
三星明年完成3nm GAA工藝開發 性能大漲35%
http://news.mydrivers.com/1/645/645658.htm
儘管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發、生產,但是上週三星
依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議,公佈了旗下新一代工藝的進展,其中
3nm工藝明年就完成開發了。
三星在10nm、7nm及5nm節點的進度都會比台積電要晚一些,導致台積電幾乎包攬了目前的
7nm芯片訂單,三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經把目標放在了未來
的3nm工藝上,預計2021年量產。
在3nm節點,三星將從FinFET晶體管轉向GAA環繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是
第一代GAA晶體管,官方稱之為3GAE工藝。
根據官方所說,基於全新的GAA晶體管結構,三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET(
Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,
主要取代FinFET晶體管技術。
此外,MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備,從而加速工藝開發及生
產。
在這次的日本SFF會議上,三星還公佈了3nm工藝的具體指標,與現在的7nm工藝相比,3nm
工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
在工藝進度上,三星今年4月份已經在韓國華城的S3 Line工廠生產7nm芯片,今年內完成
4nm工藝開發,2020年完成3nm工藝開發。
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