[請益] 小弟最近在研究SDRAM的指令 有些疑問想請教各位大大!!

看板OverClocking作者 (A_KEVEN)時間16年前 (2009/12/17 23:16), 編輯推噓4(4推 0噓 10→)
留言14則, 7人參與, 最新討論串1/1
小弟最近想要了解SDRAM的一些指令 發現有一些疑惑 辜狗大師又是找到一些簡體字 的文章,越看越不懂,希望各位大大可以幫忙解惑一下! 1. 為什麼在讀指令下的時候 會有CL的延遲? 是和儲存單元的架構有關嗎? 2. 那有讀指令有CL的延遲 寫指令怎麼沒有延遲的問題? 3. precharge和refresh的意義有點不太懂 可以說明一下什麼意義嗎? 4. 然後我看一些簡體文的討論區 有說寫為了要讓效率更好 所以會有自動 預充電(precharge)命令 但文章中都是show出讀命令和預充電(precharge) 的時脈圖 但沒有show出寫命令和預充電的時脈圖 是因為寫命令和預充電 不能一起工作嗎? 5. 是否目前市面有繁體的書在說明這些命令的時脈圖可供參考? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 122.120.5.220
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12/17 23:53, , 1F
這個真的有點太專業了 @@" 要請高手解釋
12/17 23:53, 1F
推
12/18 00:17, , 2F
好深澳
12/18 00:17, 2F
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12/18 00:22, , 3F
對我更是無解XD"
12/18 00:22, 3F
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12/18 10:17, , 4F
這說來話長，你要看時序圖，它先收到位址令才傳資料
12/18 10:17, 4F
推
12/18 12:16, , 5F
Electronics版 要全部都了解史密斯也能幫上一點忙
12/18 12:16, 5F
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12/18 19:11, , 6F
誰抓啦史密斯
12/18 19:11, 6F
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12/19 00:48, , 7F
write要先active~而write完要precharge
12/19 00:48, 7F
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12/19 00:49, , 8F
refresh就是讓cell重新將電壓校正至準位1.5V or 0V
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12/19 00:51, , 9F
CL=CAS LATENCY
12/19 00:51, 9F
推
12/20 15:40, , 10F
precharge 是對 bitline，目的是預設 sensing 準位
12/20 15:40, 10F
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12/20 15:40, , 11F
refresh 是對 cell storage node ，目的再恢復讀取
12/20 15:40, 11F
推
12/20 15:45, , 12F
時的電容漏電
12/20 15:45, 12F
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12/20 15:49, , 13F
refresh 是將電容校正至vdd or gnd
12/20 15:49, 13F
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12/20 15:50, , 14F
precharge 是預充電至 0.5*vdd
12/20 15:50, 14F
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