[心得] 實驗一「問題與討論」抄寫
實驗講義的年份感覺有點久遠...
而且看得出來應該是用TeX來編的...
讓我覺得有點訝異，這不知道要編多久才能編出來 orz
問題來了，似乎是因為轉檔的關係，那份pdf有bug
沒辦法把問題與討論直接複製-貼上
所以直接打上來好了，雖然可能用不太到
可能打錯，請告知
實驗一
1. 如何應用三用電表去分辨BJT的類別（NPN或PNP）及接角的不同（Collector, Base
或Emitter）？（可利用PN junction順逆偏的特性，或是利用B, C相連的
diode-connection的特性說明之。）
2. NMOS若VGS愈正，則VDS-ID之特性曲線有何變化？
3. BJT的基極寬度調變與JFET/MOS的通道長度調變如何形成？對IC及ID各有何影響？
4. 在NMOS特性曲線量測時，當VDS大於20V之後，會看到ID有急遽上升的現象，試解釋之。
如此之後，此顆NMOS是否重複使用？
5. 關於HP 4145B， (a) 請解釋SMU， (b) VAR1和VAR2有何不同？ (c) 請至少寫出一項
使用HP 4145B時應該注意的事項。
6. 一般在使用CD4007時，會把pin 7接至電源最負端，pin 14接至電源最正端，為什麼？
請問在CD4007中，哪一個NMOS不管怎麼接都不會有Body Effect？為什麼？
實驗二開始出現了一堆方程式，得晚點再說了 = =
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