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討論串[問題] lift-off問題(已補上資訊)
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推噓5(5推 0噓 4→)留言9則,0人參與, 最新作者black7928 (路過也中槍)時間11年前 (2012/11/20 17:15), 編輯資訊
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想詢問一下. 目前小弟在做lift-off製程. 順序是. 曝光顯影. 進RIE用氧電漿再掃過. 進入sputter. 放入ace. 一開始看圖形以為是圖案整個相反因為圖形有點被洗掉變白色的感覺(基板為白色). 後來注意一看才發現其實是銀色 應該為小弟原本所打的Al無誤. 但是問題在於圖形外需隨著P
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推噓3(3推 0噓 2→)留言5則,0人參與, 最新作者SkyLark2001 ( )時間11年前 (2012/11/27 18:14), 編輯資訊
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Futurrex系列的負光阻是我用過很喜愛的一種。. 無論是當做dry/wet etch的mask或是用來liftoff都有相當優異的表現。. 雖然從你的敘述中我無法得知原因,但有以下幾點可供參考. 1. NR AA-BBBB這種型號的BBBB代表的是溶劑百分比,換句話說是厚度。. 就我所知1500
(還有426個字)

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者SkyLark2001 ( )時間11年前 (2012/11/30 11:45), 編輯資訊
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先抱歉原本要推文,但因為推文會造成推文數太多然後又不好閱讀所以. 就先回文,不是想洗版不好意思. 用DSAM的目的是什麼?基本上lift-off的金屬厚度跟底下光阻厚度相比差距越大越好做. 也不一定不要轉。這樣造成你的鍍膜厚度不均勻是很可觀的。怕階梯覆蓋. 而不在鍍膜時轉wafer有點因小失大了。.
(還有808個字)
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