[問題] 蝕刻Ti不蝕刻SiO2
各位板上前輩好
有個實驗上的問題在這邊跟各位請教
我的結構是在wafer上長Cr/Cu/Ti/SiO2/Ti
利用摳曝顯曝出我要的洞後蝕刻Ti/SiO2/Ti,接著電鍍銅柱,再洗掉光阻
接下來的製程我需要把最外層的Ti蝕刻掉留下SiO2當作我的保護層
但我目前蝕刻會連續時刻掉Ti/SiO2/Ti三層,
想請問有沒有只蝕刻Ti而不蝕刻SiO2的方法？
ps:會一開始在外圍上Ti的原因是因為我們採用的光阻是乾膜,為了有良好的均厚,而SiO2
與乾膜的接合能力太差,也有想過改成Cr,但是Cr的蝕刻我是利用版上前輩提供的稀鹽酸
並利用Al片催化的方式,而在盲孔中我沒辦法使用接觸式蝕刻Cr.
謝謝大家
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