Re: [問題] SU8-3010 製程
※ 引述《YuShaoChen (我轉三圈)》之銘言:
: 各位板上的先進好
: 小弟我最近在 SU-3010 的 pattern 上遇到一些困難
: 不知道各位大大有沒有人曾經做過 3010 的 pattern 可以做到 13~15 um 高
: ( 形狀是分裂共振環 間隔週期 20 um )
: 並且邊緣是切直俐落如 data sheet 上的圖一般
: 可以告訴小弟我當初的參數或是任何需要注意的點嗎
: 以下概述我目前的製程
: -------------我是分隔線-------------
: SU8-3010 cotaing 600 rmp 30 sec
: 1000 rmp 60 sec
: 軟烤 100'C 15 min
: 曝光 320 W 7 sec
: 曝後烤 100'C 20 min
: 顯影 ( sping ) 600 rmp 30 sec SU8-develop
: 定影 IPA
: --------------分隔線是我--------------
: 這樣的製程方式良率不高,且邊緣也不不是切直的
: 之前是將就著用,最近發現後製程需要切直才好處理
: 所以上來詢問一下各位大大是否有任何建議或經驗可以提供
: 首PO請見諒 感謝各位~~
建議可以在soft bake的時間上分成兩段
65度 2min
95度 15min
然後曝光時間可以加強1.2~1.5倍(增加SU8分子鍵結的能力)
曝後烤維持不變
顯影的部分我這邊是用浸泡的,不像貴單位是旋塗的
這樣看有沒有幫助
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推
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討論串 (同標題文章)
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