Re: [問題]AZ4620與SU-8-5的製程問題

看板NEMS作者SkyLark2001 ( )時間8年前 (2016/03/19 14:40)推噓2(2推 0噓 12→)

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這是多層layer光阻的 delamination 原因是因為你第一層光阻沒烤乾。第二層把第一層封起來後，你軟烤第二層的時候，原本留在第一層的solvent被封在裡層無處可被蒸散引起的delamination 解決方式是第一層AZ加強硬烤，不用烤到全乾，至少烤到你第二層要軟硬烤的溫度不會繼續讓第一層的solvent繼續蒸散出來比起你現在用的參數，多加十分鐘，多加五度或十度(很重要，一定要加) 先用hotplate，然後緊接著放進oven 這樣就會大幅改善。然後根據改善的程度看看是否要延長時間(溫度不用加了)。一直烤到沒有皺褶出現為止以上是治標。治本方法也不難。你第一層也改用SU-8就解決了。這樣就不用多鍍一層銅的隔離層。但是要注意，用SU-8，只要第一層的solvent烤得不夠乾，delamination一樣會發生所以要重複第一段的方式去改良 ※ 引述《jack30127 (龍)》之銘言： : 大家好 : 想請為各位有關這兩個光阻製程上問題 : 目前我的結構為 : 第一層: : 8um的AZ4620 : 將pattern後的圖形Cu電鍍起來 : 第二層: : 蒸鍍上一層Cu種子層後 : 塗布5um的SU-8-5 : pattern顯影後的圖形會在第一層鍍起來的Cu上 : 然後想請問各位的問題在這邊 : 由於我的SU-8顯影液是使用MicroChem原廠的顯影液 : 這顯影液會破壞AZ4620 : 所以我才會在第一層跟第二層中間鋪Cu種子層來擋 : 而我SU-8的soft bake參數如下 : 65度C 1min 後 95度C 3min : 但我在95度C軟烤不到一分鐘時 : 第一層4620的表面就會開始收縮皺褶 : 導致拿來阻擋用的Cu種子層皺褶裂開 : 所以在顯影SU-8時顯影液會滲漏到下面破壞掉4620 : 會影響到我之後第二層的製作 : 目前試過一開始就先將4620烤乾一點 : 但也是一樣皺褶嚴重沒有作用 : 所以想請問各位 : 有沒有甚麼方法能讓我的4620不會收縮皺褶 : 或者有沒有其他顯影液能當SU-8的顯影液且不會破壞到4620的 : 目前能馬上取的只有顯影液AD10與AD238 : 不好意思 : 麻煩各位了~~~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 67.183.140.91 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1458369609.A.FBF.html ※ 編輯: SkyLark2001 (67.183.140.91), 03/19/2016 14:43:00

推

jack30127

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jack30127

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jack30127

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