Re: [問題]顯影完放在IPA裡有白色物質對後面製程影響
首先 我沒有hands on SU-8 3000系列,所以以下敘述都是理論而言
SU-8本身adhesion向來為人詬病。若你的光罩是dark field, 黃光後形成的pattern
都是孤島,那顯影時因為adhesion不足或是製成步驟中造成的thermal stress形成的
delamination,導致pattern被沖走也是理所當然
但若不是以上所言,基本上FULLY cross-linked的SU-8是幾乎不會被顯影液移除
所以跟你顯影搖十分鐘甚至更久都無關。
基本上有白色film出現,表示你的SU-8沒有fully crosslinked
而SU_-8的crosslinking由兩要素決定。曝光dose以及PEB
由於是用hotplate加熱,所以PEB溫度通常SU-8表面跟SU-8底層比起來會略顯不足
但這樣並不會造成你的pattern脫落
所以最有可能的原因是你曝光劑量不足,SU-8最底層並無足夠劑量產生photo generated
Acid。所以最底層會被devloper溶解,因此整個pattern也隨之脫落。
曝光劑量的計算是intensity 乘以曝光時間。
intensity未知,曝光時間再多,意義也不大。
※ 引述《jameskey (阿帕阿帕)》之銘言:
: 標題: [問題]顯影完放在IPA裡有白色物質對後面製程影響
: 時間: Fri Dec 25 01:05:56 2015
:
: 小魯用的光阻是SU8-3050跟它的顯影液,
:
: 小魯碰到問題就是小魯知道如果放在IPA裡
:
: 顯影不乾淨後,就會有白色的附著物,就要
:
: 在吹完氮氣後重複顯影液→IPA→D.I WATER的步驟,
:
: 可是小魯想說讓它完全顯影於是在顯影液搖了10min
:
: 上面的結構物就脫落了,這是怎麼回事阿?
:
: 小魯搖那麼久也是因為我厚度要做到100um
:
: http://www.microchem.com/pdf/SU-8%203000%20Data%20Sheet.pdf
:
: 所以遇上上面有白色的附著物正確步驟到底是如何??
:
: 應該說版上大大如果要做到厚度是100um的話,
:
: 如果要避免白色附著物的話,
:
: 顯影液幾分鐘,IPA幾分鐘,D.I WATER幾分鐘????
:
: 另外小魯因為要做微流道,所以要經過熱壓步驟,
:
: 不知道版上大大知不知道,如果si wafer上面的圖案有一層白色
:
: 附著物會對後面製程造成什麼影響????
:
:
:
: --
: To 小天使: 請問優遊卡多少錢阿
: ★小天使 批踢踢有悠遊卡?
: To 小天使: 沒有嗎
: ★小天使 沒有呀
: To 小天使: 那要搭捷運怎麼辦阿
: ★小天使 這跟批踢踢沒關係呀 幹
:
: --
: ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.115.222.93
: ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1450976763.A.381.html
: ※ 編輯: jameskey (140.115.222.93), 12/25/2015 01:16:53
: → SkyLark2001: 曝光量不足 12/27 18:48
: 小魯曝光量90S,這樣還算蠻多的吧
: ※ 編輯: jameskey (140.115.222.93), 12/27/2015 23:53:56
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 173.250.240.86
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1451350589.A.C71.html
推
12/30 20:26, , 1F
12/30 20:26, 1F
→
12/30 23:25, , 2F
12/30 23:25, 2F
→
12/31 12:32, , 3F
12/31 12:32, 3F
→
12/31 12:33, , 4F
12/31 12:33, 4F
→
12/31 12:34, , 5F
12/31 12:34, 5F
推
12/31 16:53, , 6F
12/31 16:53, 6F
推
01/09 01:12, , 7F
01/09 01:12, 7F
→
01/09 01:12, , 8F
01/09 01:12, 8F
推
12/06 13:24, , 9F
12/06 13:24, 9F
討論串 (同標題文章)
完整討論串 (本文為第 2 之 2 篇):